[发明专利]用于高亮度发光二极管的高吞吐量热测试方法及系统有效

专利信息
申请号: 201280065733.2 申请日: 2012-11-13
公开(公告)号: CN104220857B 公开(公告)日: 2016-11-16
发明(设计)人: 理查德·索拉兹 申请(专利权)人: 科磊股份有限公司
主分类号: G01K11/20 分类号: G01K11/20;H01L21/66;H05B33/10
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 张世俊
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种执行晶片级经封装高亮度磷光体转换发光二极管pc‑HBLED的热测试的方法包含使用激光器选择性地加热磷光体层的部分以在所述磷光体层中提供预定温度梯度。所述选择性加热可直接加热基于硅酮的磷光体层中的硅酮,或直接加热基于LumiramicTM的磷光体中的磷光体的活性离子或甚至基于硅酮的磷光体层的活性离子。将电流施加到InGaN膜以在InGaN膜结处建立预定温度,所述膜结邻近于所述磷光体层。在所述选择性加热之后且在所述所施加电致发光电流期间对所述HBLED执行光度测量。此方法在所述HBLED中快速建立与操作产品级HBLED的那些温度及温度梯度一致的温度及温度梯度,借此确保所述HBLED的准确分级。
搜索关键词: 用于 亮度 发光二极管 吞吐量 测试 方法 系统
【主权项】:
一种执行高亮度发光二极管HBLED的热测试的方法,所述HBLED包含氮化铟镓InGaN膜、形成于所述InGaN膜上的磷光体层以及形成于所述磷光体层及所述InGaN膜上方的透镜,所述方法包括:使用激光器选择性地加热所述磷光体层的部分以在所述磷光体层中提供预定温度梯度;将电流施加到所述InGaN膜以在所述InGaN膜中建立预定温度;及对所述HBLED执行光度测量。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于科磊股份有限公司,未经科磊股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201280065733.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top