[发明专利]用于高亮度发光二极管的高吞吐量热测试方法及系统有效
申请号: | 201280065733.2 | 申请日: | 2012-11-13 |
公开(公告)号: | CN104220857B | 公开(公告)日: | 2016-11-16 |
发明(设计)人: | 理查德·索拉兹 | 申请(专利权)人: | 科磊股份有限公司 |
主分类号: | G01K11/20 | 分类号: | G01K11/20;H01L21/66;H05B33/10 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 张世俊 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种执行晶片级经封装高亮度磷光体转换发光二极管pc‑HBLED的热测试的方法包含使用激光器选择性地加热磷光体层的部分以在所述磷光体层中提供预定温度梯度。所述选择性加热可直接加热基于硅酮的磷光体层中的硅酮,或直接加热基于LumiramicTM的磷光体中的磷光体的活性离子或甚至基于硅酮的磷光体层的活性离子。将电流施加到InGaN膜以在InGaN膜结处建立预定温度,所述膜结邻近于所述磷光体层。在所述选择性加热之后且在所述所施加电致发光电流期间对所述HBLED执行光度测量。此方法在所述HBLED中快速建立与操作产品级HBLED的那些温度及温度梯度一致的温度及温度梯度,借此确保所述HBLED的准确分级。 | ||
搜索关键词: | 用于 亮度 发光二极管 吞吐量 测试 方法 系统 | ||
【主权项】:
一种执行高亮度发光二极管HBLED的热测试的方法,所述HBLED包含氮化铟镓InGaN膜、形成于所述InGaN膜上的磷光体层以及形成于所述磷光体层及所述InGaN膜上方的透镜,所述方法包括:使用激光器选择性地加热所述磷光体层的部分以在所述磷光体层中提供预定温度梯度;将电流施加到所述InGaN膜以在所述InGaN膜中建立预定温度;及对所述HBLED执行光度测量。
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