[发明专利]真空操纵装置和使用方法在审
| 申请号： | 201280065266.3 | 申请日： | 2012-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN104205318A | 公开（公告）日： | 2014-12-10 |
| 发明（设计）人： | 沃尔多·L·洛佩斯;布鲁斯·E·泰特;弗雷德·J·罗斯卡;凯文·B·纽豪斯 | 申请（专利权）人： | 3M创新有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;B65G49/06 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 顾红霞;彭会 |
| 地址： | 美国明*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种真空操纵装置，其包括：(a)壁，其限定被环绕的开口并具有限定唇缘平面的边缘；(b)负压源；(c)罩，其覆盖该边缘；和(d)任选地跨越该被环绕的开口的可渗透的支撑构件，该支撑构件为基本上平面的并从该唇缘平面凹进所选择的深度。另外，公开了一种使用此类真空操纵装置操纵工件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 真空 操纵 装置 使用方法 | ||
【主权项】：
一种真空操纵装置，包括：(a)壁，其限定被环绕的开口并具有限定唇缘平面的边缘；(b)负压源；和(c)罩，其覆盖所述边缘，所述罩包含纤维材料。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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