[发明专利]使用异向性材料的热负载平衡有效
| 申请号： | 201280064149.5 | 申请日： | 2012-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN104011270A | 公开（公告）日： | 2014-08-27 |
| 发明（设计）人： | 菲德梨克·M·卡尔森;布莱恩·T·海伦布鲁克 | 申请（专利权）人： | 瓦里安半导体设备公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B15/06;C30B15/14;C30B15/22;C30B29/06;C30B15/30 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 张洋 |
| 地址： | 美国麻萨诸塞*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 揭示一种使硅晶体衬底生长的装置，其包括热源、异向性热负载平衡构件、坩埚以及冷却板构件。异向性热负载平衡构件具有高导热性，可位于热源上方且经运作以便平衡从热源散发的温度及热通量变化。坩埚可经运作以容纳熔融硅，其中熔融硅的上表面可界定为生长界面。坩埚可被异向性热负载平衡构件实质上围绕着。冷却板构件可位于坩埚上方，与异向性热负载平衡构件及热源一同运作以便使熔融硅的生长表面处保持热通量均匀。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 向性 材料 负载 平衡 | ||
【主权项】：
一种装置，其特征在于包括：热源；坩埚，配置于所述热源上方且经运作以容纳熔融硅，其中所述熔融硅的上表面界定为生长界面；异向性热负载平衡构件，配置于所述热源与所述坩埚之间，且经运作以便平衡从所述热源散发的温度及热通量变化；以及冷却板构件，位于所述坩埚上方，且经配置以便吸收来自所述熔融硅的热量，从而使所述熔融硅结晶成硅晶体衬底。
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