[发明专利]非线性光学晶体的钝化

摘要

本发明包括暴露室，其经配置以含纳具有选定氢浓度的钝化气体，所述暴露室进一步经配置以含纳供暴露于所述室内的所述钝化气体的至少一个NLO晶体；钝化气体源，其流体连接到所述暴露室，所述钝化气体源经配置以将钝化气体供应到所述暴露室的内部部分；及衬底，其经配置以将所述NLO晶体固持于所述室内，所述衬底进一步经配置以使所述NLO晶体的温度维持处于或接近选定温度，所述选定温度低于所述NLO晶体的熔化温度。

主权项

一种用于钝化非线性光学晶体的晶体缺陷的系统，其包含：暴露室，其经配置以含纳包含选定浓度的氢、氘、含氢化合物以及含氘化合物中的至少一者的钝化气体，所述暴露室进一步经配置以含纳供暴露于所述室内的所述钝化气体的至少一个NLO晶体；钝化气体源，其流体连接到所述暴露室；流量控制器，其流体耦合于所述钝化气体源与所述暴露室之间，且经配置以选择性供应自所述钝化气体源到所述暴露室的钝化气体；衬底，其包含加热元件，所述衬底经配置以将所述NLO晶体固持于所述室内；以及计算机控制器，其通信耦合到所述衬底的加热元件及所述流量控制器，所述计算机控制器包含一个或多个处理器，所述一个或多个处理器经配置以：由所述流量控制器以选定的流率将钝化气体流供应至所述暴露室；以及在所述至少一个NLO晶体暴露于所述钝化气体期间，由所述衬底的加热元件将所述NLO晶体的温度维持处于在300℃到350℃，以修理所述NLO晶体内的至少一悬键或断键。