[发明专利]用于改进IR发射器的温度调制和功耗的结构设计与处理有效
申请号: | 201280058818.8 | 申请日: | 2012-11-27 |
公开(公告)号: | CN103959432B | 公开(公告)日: | 2017-08-15 |
发明(设计)人: | Z-X·江;R·戴维斯 | 申请(专利权)人: | 皇家飞利浦有限公司 |
主分类号: | H01K1/02 | 分类号: | H01K1/02;H01K1/18;H01K7/00;H05B3/00;H05B3/20 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人: | 王英,刘炳胜 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种红外发射器,其被构造为具有减小的热质量和增大的热导率,以有效地从发射电磁辐射的发热元件递送和消散热。改进的热动力过程可以提升功耗和/或寿命中的一个或两者。 | ||
搜索关键词: | 用于 改进 ir 发射器 温度 调制 功耗 结构设计 处理 | ||
【主权项】:
一种红外发射器(80),所述发射器包括:基底(90),其具有第一表面(92)和与所述第一表面相对的第二表面(108),所述基底基本上是平面的;消散层(93),其被设置于所述基底的所述第一表面上,所述消散层的厚度小于40μm,覆盖所述第一表面的至少70%,并且由具有至少110W/m℃的热导率的材料构成;发热元件(102),其被设置于所述消散层(93)上,所述发热元件被配置为响应于正被引入到所述发热元件的电流而发射红外电磁辐射;以及背层(110),所述背层被设置于所述基底的所述第二表面上,所述背层由具有至少145W/m℃的热导率的材料构成。
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