[发明专利]制备放射性同位素的方法和设备无效

专利信息
申请号: 201280058343.2 申请日: 2012-10-10
公开(公告)号: CN104011803A 公开(公告)日: 2014-08-27
发明(设计)人: E·克拉尔;X·威尔帕特;M·吉约特;J-M·吉茨 申请(专利权)人: 离子束应用股份有限公司
主分类号: G21G1/10 分类号: G21G1/10
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 冯玉清
地址: 比利时卢万*** 国省代码: 比利时;BE
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摘要: 发明涉及生产放射性同位素的方法,该方法包括用给定电流的粒子束照射容纳在靶的密封室内的一定体积的放射性同位素前体流体,该束由粒子加速器产生。靶被冷却并且密封室中的内部压力被测量。在照射期间,密封室中的内部压力(P)允许自由地变化。当密封室的内部压力(P)偏离第一容限范围时,照射中断或其强度降低,第一容限范围根据在照射期间对密封室的内部压力的变化有影响的不同的参数来定义。对于给定的靶、粒子束和放射性同位素前体流体,这些参数例如包括:密封室的填充程度、用于冷却给定的靶的冷却能力和束电流(I)。本发明还涉及用于实施该方法的设备。
搜索关键词: 制备 放射性同位素 方法 设备
【主权项】:
一种用于生产放射性同位素的方法,包括:使用由粒子加速器产生的给定电流强度的粒子束照射容纳在靶的密封室中的一定体积的放射性同位素前体流体;冷却所述靶;以及测量所述密封室中的内部压力;其特征在于:在所述照射期间允许自由地建立所述密封室中的所述内部压力(P);且当所述密封室中的内部压力(P)移至第一容限范围外时,所述照射被中断或其强度降低,所述第一容限范围确定为在所述照射期间对所述密封室中的内部压力的变化有影响的不同的参数的函数,针对给定的靶、给定的粒子束和给定的放射性同位素前体流体,所述参数包括所述密封室的填充程度、所述靶的冷却能力和所述束电流强度(I)。
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