[发明专利]存储元件、存储装置无效
申请号: | 201280057904.7 | 申请日: | 2012-10-31 |
公开(公告)号: | CN103946974A | 公开(公告)日: | 2014-07-23 |
发明(设计)人: | 内田裕行;细见政功;大森广之;别所和宏;肥后丰;浅山徹哉;山根一阳 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L21/8246 | 分类号: | H01L21/8246;G11B5/39;G11C11/15;H01L27/105;H01L29/82;H01L43/08;H01L43/10 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;吴孟秋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 为了获得提供一种具有优良的均衡性能并同时确保热稳定性的存储元件。存储元件设置有分层结构体,所述分层结构体包括存储层、磁化固定层和中间层。所述存储层具有与膜面垂直的磁化,其中所述磁化的方向根据信息而改变。所述磁化固定层具有成为存储在所述存储层中的信息的基准的、与所述膜面垂直的磁化。所述中间层由非磁性材料形成并设置在所述存储层与所述磁化固定层之间。所述存储层包括多层结构层,非磁性材料和氧化物层压在所述多层结构层中,所述存储层的磁化的方向通过在所述分层结构体的层压方向上施加电流来改变,从而将信息记录在所述存储层中。 | ||
搜索关键词: | 存储 元件 装置 | ||
【主权项】:
一种存储元件,包括:分层结构体,所述分层结构体包括:存储层,具有与膜面垂直的磁化,其中,所述磁化的方向根据信息而改变,所述存储层包括多层结构层,其中,非磁性材料和氧化物被层压,所述存储层的所述磁化的方向通过在所述分层结构体的层压方向上施加电流来改变以将所述信息记录在所述存储层中,磁化固定层,具有成为存储在所述存储层中的所述信息的基准的、与所述膜面垂直的磁化,以及中间层,由非磁性材料形成并设置在所述存储层与所述磁化固定层之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造