[发明专利]去除传导材料以在衬底中形成传导特征有效
| 申请号： | 201280057102.6 | 申请日： | 2012-10-03 |
| 公开（公告）号： | CN103946972B | 公开（公告）日： | 2017-08-04 |
| 发明（设计）人： | S·萨塔德加 | 申请（专利权）人： | 马维尔国际贸易有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 酆迅 |
| 地址： | 巴巴多斯*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 描述了具有传导特征的装置和用于形成传导特征的方法。在衬底中形成孔(102)，并且在孔中沉积传导材料。去除传导材料的占据孔的第一纵向部分(110)的部分，并且占据孔的第二纵向部分(104)的传导特征(108)保留在衬底中。 | ||
| 搜索关键词： | 去除 传导 材料 衬底 形成 特征 | ||
【主权项】：
一种用于形成传导特征的方法，包括：在衬底中形成孔，其中所述孔包括在所述孔的外边缘上的第一槽，并且其中所述第一槽穿越所述孔的竖直尺度；在所述衬底中形成所述孔之后，向所述孔中沉积传导材料，使得包括所述第一槽的所述孔由所述传导材料填充；并且去除所述传导材料的占据所述孔的第一纵向部分的部分，使得占据所述孔的第二纵向部分的至少一个传导特征保留在所述衬底中，其中所述至少一个传导特征至少部分地设置在所述第一槽内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
