[发明专利]光电转换元件及太阳能电池无效
| 申请号: | 201280056585.8 | 申请日: | 2012-11-12 |
| 公开(公告)号: | CN103946992A | 公开(公告)日: | 2014-07-23 |
| 发明(设计)人: | 平贺广贵;芝崎聪一郎;中川直之;山崎六月;山本和重;樱田新哉;稻叶道彦 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
| 主分类号: | H01L31/068 | 分类号: | H01L31/068;H01L31/032 |
| 代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 刘凤岭;陈建全 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 根据实施方式,可提供一种具备具有光透过性的第1电极、第2电极和光吸收层的光电转换元件。光吸收层被设在第1电极与第2电极之间。光吸收层含有化合物半导体,所述化合物半导体含有第11族的第1元素和第16族的第2元素,且具有黄铜矿型结构或黄锡矿型结构。光吸收层含有p型部和n型部。n型部被设在p型部与第1电极之间。n型部与p型部同质接合。n型部含有掺杂剂。掺杂剂是通过Bond Valence Sum计算求出的形式电荷Vb为1.60~2.83的元素。 | ||
| 搜索关键词: | 光电 转换 元件 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种光电转换元件,其具备:光透过性的第1电极,第2电极,以及光吸收层,其被设置在所述第1电极与所述第2电极之间,含有化合物半导体,且含有p型部和n型部,其中,所述化合物半导体含有第11族的第1元素和第16族的第2元素,并具有黄铜矿型结构或黄锡矿型结构,所述n型部被设在所述p型部与所述第1电极之间,与所述p型部同质接合,且含有掺杂剂;在用所述掺杂剂置换了所述第1元素时,在将所述第1元素和所述第2元素的键长规定为以埃计的ri,将所述掺杂剂和所述第2元素的键合参数规定为以埃计的r0,将由所述掺杂剂和所述第2元素的组合决定的固有常数规定为以埃计的Bf,将相对于所述第1元素的所述第2元素的邻近键合数规定为n,其中n为1以上的整数时,所述掺杂剂是用下述数学式1表示的形式电荷Vb为1.60~2.83的元素;![]()
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





