[发明专利]光电转换元件及太阳能电池无效

专利信息
申请号: 201280056585.8 申请日: 2012-11-12
公开(公告)号: CN103946992A 公开(公告)日: 2014-07-23
发明(设计)人: 平贺广贵;芝崎聪一郎;中川直之;山崎六月;山本和重;樱田新哉;稻叶道彦 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H01L31/068 分类号: H01L31/068;H01L31/032
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 刘凤岭;陈建全
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 根据实施方式,可提供一种具备具有光透过性的第1电极、第2电极和光吸收层的光电转换元件。光吸收层被设在第1电极与第2电极之间。光吸收层含有化合物半导体,所述化合物半导体含有第11族的第1元素和第16族的第2元素,且具有黄铜矿型结构或黄锡矿型结构。光吸收层含有p型部和n型部。n型部被设在p型部与第1电极之间。n型部与p型部同质接合。n型部含有掺杂剂。掺杂剂是通过Bond Valence Sum计算求出的形式电荷Vb为1.60~2.83的元素。
搜索关键词: 光电 转换 元件 太阳能电池
【主权项】:
一种光电转换元件,其具备:光透过性的第1电极,第2电极,以及光吸收层,其被设置在所述第1电极与所述第2电极之间,含有化合物半导体,且含有p型部和n型部,其中,所述化合物半导体含有第11族的第1元素和第16族的第2元素,并具有黄铜矿型结构或黄锡矿型结构,所述n型部被设在所述p型部与所述第1电极之间,与所述p型部同质接合,且含有掺杂剂;在用所述掺杂剂置换了所述第1元素时,在将所述第1元素和所述第2元素的键长规定为以埃计的ri,将所述掺杂剂和所述第2元素的键合参数规定为以埃计的r0,将由所述掺杂剂和所述第2元素的组合决定的固有常数规定为以埃计的Bf,将相对于所述第1元素的所述第2元素的邻近键合数规定为n,其中n为1以上的整数时,所述掺杂剂是用下述数学式1表示的形式电荷Vb为1.60~2.83的元素;<mrow><msub><mi>V</mi><mi>b</mi></msub><mo>=</mo><munderover><mi>&Sigma;</mi><mrow><mi>j</mi><mo>=</mo><mn>1</mn></mrow><mi>n</mi></munderover><mi>exp</mi><mrow><mo>(</mo><mfrac><mrow><msub><mi>r</mi><mn>0</mn></msub><mo>-</mo><msub><mi>r</mi><mn>1</mn></msub></mrow><msub><mi>B</mi><mi>f</mi></msub></mfrac><mo>)</mo></mrow><mo>-</mo><mo>-</mo><mo>-</mo><mrow><mo>(</mo><mn>1</mn><mo>)</mo></mrow><mo>.</mo></mrow>
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝,未经株式会社东芝许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201280056585.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top