[发明专利]带有非晶硅梁的集成半导体器件、制造方法和设计结构有效
| 申请号： | 201280055058.5 | 申请日： | 2012-10-03 |
| 公开（公告）号： | CN103930979B | 公开（公告）日： | 2016-10-19 |
| 发明（设计）人： | S·E.·鲁斯;A·K.·斯坦珀 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/469 | 分类号： | H01L21/469 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 边海梅 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了采用CMOS工艺、制造方法和设计结构集成的体声波滤波器和/或体声波谐振器。所述方法包括形成至少一个包括非晶硅材料(29)的梁(44)并且在所述非晶硅梁上方并且与其相邻提供绝缘体材料(32)。该方法还包括形成穿过绝缘体材料的通孔(50)并且暴露非晶硅梁(44)下面的材料(25)。该方法还包括在通孔中和非晶硅梁上方提供牺牲材料(36)。该方法还包括在牺牲材料上和绝缘体材料上方提供盖子(38)。该方法还包括通过盖子(排放孔40)排放牺牲材料和下面材料，以分别在非晶硅梁之上形成上部空腔(42a)并且在非晶硅梁之下形成下部空腔(42b)。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 非晶硅梁 集成 半导体器件 制造 方法 设计 结构 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：形成包括非晶硅材料的至少一个梁；在非晶硅梁之上并且与其相邻提供绝缘体材料；形成通过绝缘体材料的通孔并且暴露非晶硅梁下面的材料；在通孔中以及在非晶硅梁之上提供牺牲材料；在牺牲材料上并且在绝缘体材料上方提供盖子；及通过盖子排放牺牲材料和下面材料，以便分别在非晶硅梁之上形成上部空腔并且在非晶硅梁之下形成下部空腔。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司，未经国际商业机器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201280055058.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
