[发明专利]二酮基吡咯并吡咯低聚物和包含二酮基吡咯并吡咯低聚物的组合物有效
申请号: | 201280053536.9 | 申请日: | 2012-08-31 |
公开(公告)号: | CN104094435B | 公开(公告)日: | 2017-02-22 |
发明(设计)人: | P·哈约兹;N·舍博塔莱瓦;Y·H·吉尔茨;S·斯塔斯;J-Y·巴朗迪尔 | 申请(专利权)人: | 巴斯夫欧洲公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;C07D471/06 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所11247 | 代理人: | 张双双,刘金辉 |
地址: | 德国路*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及包含如下组分的组合物(a)式(I)化合物和(b)聚合物材料,式I的具体低聚物及其作为有机半导体在有机器件,尤其是在有机光伏器件(太阳能电池)和光电二极管,或在含有二极管和/或有机场效应晶体管的器件中的用途。在将本发明组合物或低聚物用于有机场效应晶体管、有机光伏器件(太阳能电池)和光电二极管中时,可观察到高能量转换效率、优异的场效应迁移率、良好的电流开/关比和/或优异稳定性。 | ||
搜索关键词: | 二酮基 吡咯 低聚物 包含 组合 | ||
【主权项】:
一种组合物,包含(a)式的化合物,和(b)聚合物材料,其中p为0或1,q为0或1;A1和A2相互独立地为式的基团,或具有R5的含义;A3、A4和A5相互独立地为式的基团;a为1或2;b为0、1或2;c为0、1或2;k为0、1或2;l为1、2或3;r为0或1;z为0、1或2;R1、R2、R1’、R2’、R1”、R2”、R1*和R2*可相同或不同且选自氢,C1‑C36烷基、C2‑C36链烯基,可任选被–O‑、‑S‑或COO间隔一次或多次的C3‑C36炔基,和可任选被C1‑C8烷基、C1‑C8烷氧基、卤素或氰基取代一次或多次的苯基;R3为氢、氰基、C1‑C25烷基、C1‑C18烷氧基,或为R5或R6;R5为式的基团;R6为式的基团Ar1、Ar2和Ar3相互独立地为下式的二价基团:Ar4、Ar5、Ar6和Ar7相互独立地为下式的二价基团:X为S、‑NR10‑、‑C(R12)(R13)‑或R10为C1‑C18烷基;R12和R13相互独立地为氢或C1‑C18烷基;R16和R17相互独立地为C1‑C25烷基或其中Rx为三(C1‑C8烷基)甲硅烷基;R18和R19相互独立地为C1‑C18烷基、任选可被C1‑C8烷基和/或C1‑C8烷氧基取代1‑3次的苯基;R20和R21相互独立地为氢、C1‑C25烷基或氰基;R30‑R35相互独立地为氢、C1‑C25烷基或C1‑C18烷氧基;R60‑R68相互独立地为H、氰基或C1‑C25烷基;条件为如果聚合物材料为二酮基吡咯并吡咯(DPP)聚合物,则DPP聚合物的重均分子量和聚合物的重复单元的分子量的商为至少5,其中所述聚合物材料b)选自和含有二酮基吡咯并吡咯(DPP)重复单元的聚合物,其中n’为10‑1000。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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