[发明专利]光检测装置

摘要

半导体光检测元件（10）包含：多个雪崩光电二极管（APD），其以盖革模式动作并且形成在半导体基板（1N）内；灭弧电阻（R1），其相对于各个雪崩光电二极管（APD）串联连接并且配置在半导体基板（1N）的主面（1Na）侧；以及多个贯通电极（TE），其与灭弧电阻（R1）电连接且从主面（1Na）侧至主面（1Nb）侧为止贯通半导体基板（1N）而形成。搭载基板（20）包含对应于每个贯通电极（TE）而配置在主面（20a）侧的多个电极（E9）。贯通电极（TE）与电极（E9）经由凸点电极（BE）而电连接，且半导体基板（1N）的侧面（1Nc）与玻璃基板（30）的侧面（30c）成为同一平面。

主权项

一种光检测装置，其特征在于，具备：半导体光检测元件，其具有包含相互相对的第一和第二主面的半导体基板；搭载基板，其与所述半导体光检测元件相对配置并且具有与所述半导体基板的所述第二主面相对的第三主面；以及玻璃基板，其与所述半导体光检测元件相对配置并且具有与所述半导体基板的所述第一主面相对的第四主面；所述半导体光检测元件包含：多个雪崩光电二极管，其以盖革模式动作并且形成在所述半导体基板内；灭弧电阻，其相对于各个所述雪崩光电二极管串联连接并且配置在所述半导体基板的所述第一主面侧；以及多个贯通电极，其与所述灭弧电阻电连接且从所述第一主面侧至所述第二主面侧为止贯通所述半导体基板而形成；所述搭载基板包含：多个第一电极，其对应于每个所述贯通电极而配置在所述第三主面侧；以及信号处理部，其与所述多个第一电极电连接且处理来自各所述雪崩光电二极管的输出信号；所述贯通电极与所述第一电极经由凸点电极而电连接；且所述半导体基板的侧面与所述玻璃基板的侧面成为同一平面。