[发明专利]通过使用有槽的衬底的低翘曲晶片结合有效
| 申请号： | 201280051691.7 | 申请日： | 2012-10-05 |
| 公开（公告）号： | CN103907175B | 公开（公告）日： | 2018-01-23 |
| 发明（设计）人： | M.A.德萨伯;E.C.E.范格伦斯文;R.A.B.恩格伦 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 李亚非,汪扬 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在晶片结合工艺中，两个晶片衬底其中之一或二者在结合之前被刻划。通过在衬底中形成槽，在结合期间晶片的特性类似于较薄晶片的特性，由此减小由于与每个晶片关联的CTE特性的差异引起的可能翘曲。优选地，形成与切割/划片图案一致的多个槽，使得所述多个槽将不存在于经切割的封装中，由此保留完整厚度衬底的结构特性。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 使用 衬底 低翘曲 晶片 结合 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：包括多个半导体器件的第一半导体晶片，以及第二晶片，所述第二晶片经由所述第一半导体晶片和所述第二晶片上的各结合表面结合到所述第一半导体晶片，其中，为了减小所述半导体结构的翘曲，所述第二晶片在与结合表面相对的表面上被刻划形成有多个槽；以及其中所述半导体器件具有器件宽度，并且所述槽具有介于所述器件宽度的5%和20%之间的槽宽度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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