[发明专利]用于EUV波长范围的反射光学元件、制造和校正这种元件的方法、包括这种元件的微光刻的投射镜头及包括这种投射镜头的微光刻的投射曝光设备在审
申请号: | 201280049100.2 | 申请日: | 2012-08-14 |
公开(公告)号: | CN103858055A | 公开(公告)日: | 2014-06-11 |
发明(设计)人: | M.韦斯;N.克维恩;M.韦瑟;B.比特纳;N.瓦布拉;C.施利琴迈耶;W.克劳斯 | 申请(专利权)人: | 卡尔蔡司SMT有限责任公司 |
主分类号: | G03F1/60 | 分类号: | G03F1/60;G03F1/00;G21K1/06;G06F1/24;G03F1/72;G03F7/20 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邱军 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明涉及一种用于EUV波长范围的反射光学元件39,包括施加在基板的表面上的层布置,其中,层布置包括由单独层的至少一个周期的周期序列构成的至少一个层子系统37,其中,所述周期包括在EUV波长范围中具有不同折射率的两个单独层,其中,基板至少沿假想表面30具有按体积超过1%的密度变化,假想表面在距所述表面0μm和100μm之间的固定距离处,并且其中,基板通过保护层或通过层布置的保护层子系统或者通过基板的相应致密的表面区域35来防范因EUV辐射引起的长期老化或致密化。此外,本发明涉及一种制造这种反射光学元件的方法。而且,本发明涉及一种校正这种反射光学元件的方法、一种包括这种光学元件的投射镜头以及一种包括这种投射镜头的投射曝光设备。 | ||
搜索关键词: | 用于 euv 波长 范围 反射 光学 元件 制造 校正 这种 方法 包括 微光 投射 镜头 曝光 | ||
【主权项】:
用于EUV波长范围的反射光学元件(39),包括施加在基板的表面上的层布置,其中,所述层布置包括由单独层的至少一个周期的周期序列构成的至少一个层子系统(37),其中,所述周期包括在EUV波长范围具有不同折射率的两个单独层,其特征在于,所述基板在邻接所述层布置的、具有距所述表面高达5μm距离的范围的表面区域(35)中的平均密度比所述基板在距所述表面1mm距离处的平均密度按体积高1%多;以及所述基板至少沿假想表面(30)具有按体积超过1%的密度变化,所述假想表面在距所述表面1μm和100μm之间的固定距离处。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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