[发明专利]纳米压印方法和在纳米压印方法中采用的抗蚀剂组合物

摘要

[目标]为了在纳米压印方法中能够抑制模型由粘合物质的污染和形成具有足够的耐刻蚀性的抗蚀剂图案。[构造]纳米压印方法采用抗蚀剂组合物，所述抗蚀剂组合物包含可聚合化合物和聚合引发剂，其各自具有吸收区域在250nm至500nm的范围内的吸收光谱性质。所述聚合引发剂的吸收区域的较长波长端波长(λi)比所述可聚合化合物的吸收区域的较长波长端波长(λm)长。所述抗蚀剂组合物的曝光通过具有满足预定关系式的光谱强度性质的光进行。

主权项

一种纳米压印方法，所述纳米压印方法包括以下步骤：采用模型，所述模型在其表面上具有细微的凸凹图案；在将所述抗蚀剂组合物用所述凸凹图案压制的同时，将涂布在所要处理的基板上的抗蚀剂组合物曝光，以固化所述抗蚀剂组合物；以及将所述模型与所述抗蚀剂组合物分离；其特征在于：所述抗蚀剂组合物包括可聚合化合物和聚合引发剂，所述可聚合化合物和聚合引发剂各自具有吸收区域在250nm至500nm的范围内的吸收光谱性质；所述聚合引发剂的吸收区域的较长波长端波长比所述可聚合化合物的吸收区域的较长波长端波长长；并且所述抗蚀剂组合物的曝光通过具有满足下面的式1的光谱强度性质的光进行：λb<λa≤λc  (1)其中λa是与在所述曝光过程中照射的250nm至500nm的波长范围内的光中的光谱强度性质相关的规定光发射波长，并且表示光发射强度相对于最大峰值波长处的光发射强度为10％处的朝向较短波端的规定光发射波长；λb是与所述可聚合化合物的吸收光谱性质相关的规定吸收波长，并且表示光吸收相对于最大峰值波长处的光吸收为10％处的较长波长端处的规定吸收波长；并且λc是与所述聚合引发剂的吸收光谱性质相关的规定吸收波长，并且表示光吸收相对于最大峰值波长处的光吸收为10％处的较长波长端处的规定吸收波长。