[发明专利]模具坯、母模具、复制模具和模具坯的制造方法在审
| 申请号： | 201280047339.6 | 申请日： | 2012-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN103828022A | 公开（公告）日： | 2014-05-28 |
| 发明（设计）人： | 谷口和丈;岸本秀司;佐藤孝 | 申请（专利权）人： | HOYA株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;B29C33/38;B29C59/02;B81C99/00;G03F1/50;G11B5/84 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在具有硬掩模层的模具坯中，所述硬掩模层具有包含铬、氮和氧的组成，并具有这样的含有率变化结构：所述氮的含有率在层厚方向上连续性地或者阶段性地变化，而且所述氧的含有率在所述层厚方向上朝与所述氮实质相反的方向连续性地或者阶段性地变化。 | ||
| 搜索关键词： | 模具 复制 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种模具坯，所述模具坯具有：基板、和形成在所述基板上且成为在对所述基板进行蚀刻时的掩模材料的硬掩模层，所述模具坯的特征在于，所述硬掩模层具有包含铬、氮和氧的组成，并具有这样的含有率变化结构：所述氮的含有率在层厚方向上连续性地或者阶段性地变化，而且所述氧的含有率在所述层厚方向上朝与所述氮实质相反的方向连续性地或者阶段性地变化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
