[发明专利]在EUV反射镜上制造由氧化硅构成的覆盖层的方法、EUV反射镜和EUV光刻设备有效
| 申请号： | 201280047174.2 | 申请日： | 2012-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN103930805B | 公开（公告）日： | 2017-03-29 |
| 发明（设计）人： | D.H.埃姆;吉塞拉范·布兰肯哈根 | 申请（专利权）人： | 卡尔蔡司SMT有限责任公司 |
| 主分类号： | G02B5/08 | 分类号： | G02B5/08;G21K1/06;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 邸万奎 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种在反射镜(13)的涂层(16)上制造由氧化硅SiOx构成的覆盖层(18)自勺方法，所述涂层反射例如用于EUV光刻设备或EUV掩模度量系统的EUV辐射(6)，该方法包含照射由氮化硅SiNX构成或由氮氧化硅SiNxOy构成的覆盖层(18)，将所述覆盖层(18)的所述氮化硅SiNx或所述氮氧化硅SiNxOy转变为氧化硅SiOx。本发明还涉及一种包含由氧化硅SiOx构成的覆盖层的反射镜(13)，以及一种包含至少一个这种反射镜(13)的EUV光刻设备。 | ||
| 搜索关键词： | euv 反射 制造 氧化 构成 覆盖层 方法 光刻 设备 | ||
【主权项】：
在反射镜(13)的涂层(16)上制造最终由氧化硅SiOx构成的覆盖层(18)的方法，所述涂层反射EUV辐射(6)，并包括位于最顶部的覆盖层，所述方法包含：照射初始由氮化硅SiNx构成或初始由氮氧化硅SiNxOy构成的覆盖层(18)，以将所述覆盖层(18)的氮化硅SiNx或氮氧化硅SiNxOy转变为氧化硅SiOx，其中，用波长小于390nm的电磁辐射照射所述覆盖层(18)。
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