[发明专利]场效应晶体管装置、用于感测变形的设备和方法有效
| 申请号： | 201280045569.9 | 申请日： | 2012-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN103814445A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | J·基维奥亚;R·怀特 | 申请（专利权）人： | 诺基亚公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;G01L1/00;B82Y15/00 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 酆迅;张臻贤 |
| 地址： | 芬兰*** | 国省代码： | 芬兰;FI |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种装置，包括：第一层（201），被配置用于实现从源极电极（203）向漏极电极（204）的电荷载流子流动；第二层（206），被配置用于使用在第一层（201）和第二层（206）之间形成的电场来控制在第一层（201）中的电荷载流子的密度；以及第三层（211），定位于第一层（201）和第二层（206）之间，以将第一层（201）从电场屏蔽，其中第三层（211）包括导电纳米颗粒（212）层并且被配置为使得当应力被施加于第三层（211）时，第一层（201）所经历的电场的强度被改变，导致电荷载流子密度的变化和第一层（201）的电导的相应变化。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 装置 用于 变形 设备 方法 | ||
【主权项】：
一种装置，包括：第一层，被配置用于实现从源极电极向漏极电极的电荷载流子流动；第二层，被配置用于使用在所述第一层和所述第二层之间形成的电场来控制在所述第一层中的电荷载流子的密度；以及第三层，定位于所述第一层和所述第二层之间，以将所述第一层从所述电场屏蔽，其中所述第三层包括导电纳米颗粒层并且被配置为使得当应力被施加于所述第三层时，所述第一层所经历的所述电场的强度被改变，从而导致所述电荷载流子密度的变化和所述第一层的电导的对应变化。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于诺基亚公司，未经诺基亚公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201280045569.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
