[发明专利]摩擦搅拌接合构造及功率半导体器件有效

专利信息
申请号: 201280039889.3 申请日: 2012-08-09
公开(公告)号: CN103732346B 公开(公告)日: 2017-02-08
发明(设计)人: 堀俊夫;浦城庆一;樋熊真人;金子裕二朗;平野聪;佐藤章弘 申请(专利权)人: 日立汽车系统株式会社
主分类号: B23K20/12 分类号: B23K20/12;H01L23/473
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司11322 代理人: 龙淳
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明的技术课题是在使用摩擦搅拌接合的接合构造中,减少接合工具与被接合部件的摩擦热和接合工具插入的按压载荷导致的被接合部件整体的变形。本发明的摩擦搅拌接合构造在通过摩擦搅拌接合一体化的第一部件和第二部件中的任一方,沿着摩擦搅拌接合部形成有小厚度部。利用该小厚度部,使得在摩擦搅拌接合时产生的热不易向被接合部件的中央侧传递,能够抑制被接合部件的主要部分的热变形。此外,小厚度部由于通过摩擦搅拌接合而作用于被接合部件的按压载荷而变形,因此能够抑制被接合部件的主要部分的变形。
搜索关键词: 摩擦 搅拌 接合 构造 功率 半导体器件
【主权项】:
一种通过摩擦搅拌接合将第一部件和第二部件一体化的摩擦搅拌接合构造,其特征在于:在所述第一部件沿着摩擦搅拌接合部形成有小厚度部,所述第一部件和所述第二部件作为搭接接头而抵接,其抵接面进行摩擦搅拌接合,所述第一部件的抗拉强度S1规定得比所述第二部件的抗拉强度S2小,所述第一部件的所述小厚度部的厚度L1与所述摩擦搅拌接合部的接合深度D1的关系规定为:(2×S1)/(S1+S2)×L1<D1。
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