[发明专利]配线缺陷检测方法和配线缺陷检测装置、以及半导体基板的制造方法有效

专利信息
申请号: 201280039453.4 申请日: 2012-08-30
公开(公告)号: CN103733055A 公开(公告)日: 2014-04-16
发明(设计)人: 狩田裕史 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: G01N25/72 分类号: G01N25/72
代理公司: 北京市隆安律师事务所 11323 代理人: 权鲜枝
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 在本发明的一方式的配线缺陷检测方法中,在预先设定的帧数阈值内,缺陷部的温度上升值超过温度上升阈值的情况下,能判断为对应的像素有缺陷。本发明的配线缺陷检测装置具备测量半导体基板的温度并将其图像化的温度测量图像化部。
搜索关键词: 缺陷 检测 方法 装置 以及 半导体 制造
【主权项】:
一种配线缺陷检测方法,其特征在于,包含:电压施加工序,对形成于半导体基板的配线施加规定的电压;测量工序,使用红外线照相机在一定时间连续地测量在上述电压施加工序中施加了电压的半导体基板的至少一部分区域的温度;判断工序,判断从在上述测量工序中测量出的温度值减去施加该电压前的该半导体基板的温度值而导出的温度上升值是否在阈值以上;以及缺陷判断工序,在上述判断工序中判断为阈值以上的情况下判断为形成于上述区域的上述配线中有短路缺陷,在上述判断工序中判断为不到该阈值的情况下判断为该配线中没有短路缺陷。
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