[发明专利]用于改善的结晶性的盖层有效
| 申请号: | 201280039010.5 | 申请日: | 2012-07-27 |
| 公开(公告)号: | CN103733320A | 公开(公告)日: | 2014-04-16 |
| 发明(设计)人: | S·巴格;D·A·R·巴克豪斯;D·B·米茨;T·K·托多洛夫 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
| 主分类号: | H01L21/477 | 分类号: | H01L21/477 |
| 代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 贺月娇;于静 |
| 地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | 提供了用于锌黄锡矿Cu-Zn-Sn-(Se,S)膜的制造以及基于这些膜的改进的光伏器件的技术。在一个方面,提供了一种制造化学式为Cu2-xZn1+ySn(S1-zSez)4+q的锌黄锡矿膜的方法,其中0≤x≤1;0≤y≤1;0≤z≤1;且-1≤q≤1。该方法包括如下步骤。提供衬底。在所述衬底上形成体前体层,所述体前体层包含S和Se中的至少一种以及Cu、Zn、Sn。在所述体前体层上形成盖层,所述盖层包含Sn、S和Se中的至少一种。在足以产生下述锌黄锡矿膜的条件下对所述体前体层和所述盖层进行退火:对于所述膜的任何给定部分,所述锌黄锡矿膜具有的x、y、z和q值从该膜整体的x、y、z和q的平均值偏离不到20%。 | ||
| 搜索关键词: | 用于 改善 结晶 盖层 | ||
【主权项】:
一种制造化学式为Cu2‑xZn1+ySn(S1‑zSez)4+q的锌黄锡矿膜的方法,其中0≤x≤1;0≤y≤1;0≤z≤1;且‑1≤q≤1,该方法包括如下步骤:提供衬底;在所述衬底上形成体前体层,所述体前体层包含S和Se中的至少一种以及Cu、Zn、Sn;在所述体前体层上形成盖层,所述盖层包含Sn、S和Se中的至少一种;以及在足以产生下述锌黄锡矿膜的条件下对所述体前体层和所述盖层进行退火:对于所述锌黄锡矿膜的任何给定部分,所述锌黄锡矿膜具有的x、y、z和q值从该膜整体的x、y、z和q的平均值偏离不到20%。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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