[发明专利]光学元件、光电子器件和它们的制造方法有效

专利信息
申请号: 201280036828.1 申请日: 2012-05-23
公开(公告)号: CN103688378B 公开(公告)日: 2017-09-26
发明(设计)人: K.彼得森;S.普吕斯;M.平德尔;M.博斯;M.布兰德尔 申请(专利权)人: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
主分类号: H01L33/58 分类号: H01L33/58;H01L33/50;B29D11/00;B29C43/20
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司72001 代理人: 杜荔南,刘春元
地址: 德国雷*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 说明一种用于对来自发光半导体芯片(5)的光进行光耦合输出和/或变换的光学元件,具有选自波长变换层(1)、散射层(2)、光耦合输出层(3)和透镜层(7)的至少一个层,这些层分别具有能够在模压方法中处理的合成材料。此外,还说明一种具有带发光半导体芯片(5)和光学元件的载体(4)的光电子器件以及用于制造光学元件和光电子器件的方法。
搜索关键词: 光学 元件 光电子 器件 它们 制造 方法
【主权项】:
一种用于对来自发光半导体芯片(5)的光进行光耦合输出和/或变换的光学元件,具有选自波长变换层(1)、散射层(2)、光耦合输出层(3)和透镜层(7)的至少一个层,这些层分别具有能够在模压方法中处理的合成材料,其中所述光学元件具有波长变换层(1)和散射层(2),所述波长变换层和散射层叠置地施加,并且其中至少在散射层(2)和波长变换层(1)之间的部分区域中布置有透明材料(6),其中所述散射层(2)具有至少一个凹部(21)以用于布置所述发光半导体芯片(5),所述凹部被构造为穿过散射层的穿通开口,并且所述凹部从散射层的背离波长变换层的侧到达直至波长变换层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司,未经奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201280036828.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top