[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201280035577.5 | 申请日： | 2012-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN103890955B | 公开（公告）日： | 2017-06-13 |
| 发明（设计）人： | 山下侑佑;町田悟;杉山隆英;斋藤顺 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/739;H01L29/78;H01L29/06;H01L29/40;H01L29/08 |
| 代理公司： | 北京金信知识产权代理有限公司11225 | 代理人： | 黄威,邓玉婷 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了一种能够在二极管导通时降低损耗的技术。在本说明书中公开的二极管包括阴极电极、由第一导电型半导体制成的阴极区域、由低浓度的第一导电型半导体制成的漂移区、由第二导电型半导体制成的阳极区域、由金属制成的阳极电极、形成于漂移区和阳极区域之间且由浓度比漂移区的浓度更高的第一导电型半导体制成的势垒区域以及形成为将势垒区域连接至阳极电极且由浓度比势垒区域的浓度更高的第一导电型半导体制成的柱区域。柱区域和阳极通过肖特基结相连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种二极管，包括：阴极电极；阴极区域，其由第一导电型半导体制成；漂移区，其由浓度比所述阴极区域的浓度低的第一导电型半导体制成；阳极区域，其由第二导电型半导体制成；阳极电极，其由金属制成；势垒区域，其形成于所述漂移区和所述阳极区域之间且由浓度比所述漂移区的浓度更高的第一导电型半导体制成；以及柱区域，其形成为将所述势垒区域连接至所述阳极电极且由浓度比所述势垒区域的浓度更高的第一导电型半导体制成，其中，所述柱区域形成为从所述阳极电极侧透过所述阳极区域且到达所述势垒区域，并且其中，所述柱区域和所述阳极电极通过肖特基结相连接。
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