[发明专利]制备层状体的方法和可由其获得的无掩膜层状体无效
| 申请号： | 201280033717.5 | 申请日： | 2012-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN103688220A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | U·古恩特曼;D·盖瑟;M·格拉塞尔;石川明生 | 申请（专利权）人： | 赫劳斯贵金属有限两和公司 |
| 主分类号： | G03F7/039 | 分类号： | G03F7/039;G03F7/09;H01L51/00;H01B13/00;H05K3/10 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 肖威;刘金辉 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 一种制备层状体S2(1)的方法，其包括如下工艺步骤：i)提供包括基材(3)和施加至所述基材(3)上且包含导电聚合物P1的导电层(4)的层状体S1(2)；ii)使导电层(4)的至少一个第一区域Du(7)与组合物Z1接触以降低该第一区域Du(7)的电导率；其中在所述接触过程中导电层(4)的温度为高于40℃至100℃。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 层状 方法 获得 无掩膜 | ||
【主权项】：
一种制备层状体S2(1)的方法，其包括如下工艺步骤：i)提供包括基材(3)和施加至所述基材(3)上且包含导电聚合物P1的导电层(4)的层状体S1(2)；ii)使导电层(4)的至少一个第一区域Du(7)与组合物Z1接触以降低该第一区域Du(7)的电导率；其中在所述接触期间，导电层(4)的温度为高于40℃至100℃。
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