[发明专利]气体阻隔性膜、气体阻隔性膜的制造方法及电子器件有效
| 申请号： | 201280031320.2 | 申请日： | 2012-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN103796827A | 公开（公告）日： | 2014-05-14 |
| 发明（设计）人： | 森孝博 | 申请（专利权）人： | 柯尼卡美能达株式会社 |
| 主分类号： | B32B9/00 | 分类号： | B32B9/00;B05D1/38;B05D3/06;B05D7/24;B32B5/14;B32B27/00;B32B27/16;H01L51/50;H05B33/04 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 贾成功 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供具有非常优异的气体阻隔性能和高的耐久性的气体阻隔性膜、其制造方法及使用了其的电子器件。本发明的气体阻隔性膜为在基材上层叠了至少含有Si、O和N的气体阻隔层2层以上的气体阻隔性膜，其特征在于，在气体阻隔层全体中厚度方向的组成分布如下：从接近基材方依次具有满足下述(A)的组成范围的在厚度方向上连续了的20nm以上的区域和满足下述(B)的组成范围的在厚度方向上连续了的50nm以上的区域。(A)在由SiOwNx表示气体阻隔层的组成时，为w≥0.8、x≥0.3、2w＋3x≤4。(B)在由SiOyNz表示气体阻隔层的组成时，为0＜y≤0.55、z≥0.55、2y＋3z≤4。 | ||
| 搜索关键词： | 气体 阻隔 制造 方法 电子器件 | ||
【主权项】：
一种气体阻隔性膜，其为在基材上层叠了2层以上的气体阻隔层的气体阻隔性膜，所述气体阻隔层至少含有Si、O和N；其中，气体阻隔层全体在厚度方向的组成分布如下：从接近基材侧依次具有满足下述(A)的组成范围的在厚度方向上连续的20nm以上的区域、和满足下述(B)的组成范围的在厚度方向上连续的50nm以上的区域；(A)在由SiOwNx表示气体阻隔层的组成时，为w≥0.8、x≥0.3、2w＋3x≤4，(B)在由SiOyNz表示气体阻隔层的组成时，为0＜y≤0.55、z≥0.55、2y＋3z≤4。
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