[发明专利]EUV光刻杂散光计算和补偿有效
| 申请号： | 201280021450.8 | 申请日： | 2012-05-01 |
| 公开（公告）号： | CN103597579B | 公开（公告）日： | 2016-10-12 |
| 发明（设计）人： | J·希利;H·宋 | 申请（专利权）人： | 新思科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/20 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;韩宏 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了极紫外（EUV）光刻的杂散光计算和补偿。一种针对EUV光刻中使用的掩模计算杂散光的方法包括将杂散光功率谱密度（PSD）分解为低频分量和高频分量。此外，所述方法包括在杂散光图产生器中接收多个布局。多个布局中的每一个布局对应于掩模上的芯片图案位置。而且，所述方法包括使用杂散光图产生器，通过使用快速傅立叶变换（FFT），根据低频分量产生针对掩模的低频杂散光图。 | ||
| 搜索关键词： | euv 光刻 散光 计算 补偿 | ||
【主权项】：
一种针对极紫外(EUV)光刻中使用的掩模计算杂散光的方法，所述方法包括：将杂散光功率谱密度(PSD)分解为低频分量和高频分量；在杂散光图产生器中接收多个布局，其中，所述多个布局中的每一个布局对应于所述掩模上的芯片图案位置；以及使用所述杂散光图产生器，通过使用快速傅立叶变换(FFT)，根据所述低频分量产生针对所述掩模的低频杂散光图。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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