[发明专利]基材的等离子体处理无效
| 申请号： | 201280019444.9 | 申请日： | 2012-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN103609203A | 公开（公告）日： | 2014-02-26 |
| 发明（设计）人： | 弗朗索瓦兹·马辛内斯;托马斯·高迪;皮埃尔·德斯坎普斯;帕特里克·里姆波尔;文森特·凯撒 | 申请（专利权）人： | 道康宁法国公司;国家科学研究中心 |
| 主分类号： | H05H1/42 | 分类号： | H05H1/42;H05H1/24;H05H1/48 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 周靖;郑霞 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于等离子体处理基材的方法，所述方法包括对位于具有入口和出口的电介质外壳内的至少一个电极施加射频高电压，同时使工艺气体（通常包含氦气）从所述入口经过所述电极流动到所述出口，由此生成非平衡大气压等离子体。将雾化的或气态的表面处理剂掺入所述非平衡大气压等离子体。将所述基材邻近所述等离子体出口定位，以使得其表面与所述等离子体接触并相对于所述等离子体出口移动。流经电极的工艺气体的速度低于100m/s。还以高于100m/s的速度向电介质外壳中注入工艺气体。以高于100m/s的速度注入的工艺气体相对以低于100m/s流经电极的工艺气体的体积比率为1∶20至5∶1。 | ||
| 搜索关键词： | 基材 等离子体 处理 | ||
【主权项】：
一种用于等离子体处理基材的方法，其通过以下方式进行：对位于具有入口和出口的电介质外壳内的至少一个电极施加射频高电压，同时使工艺气体从所述入口经过所述电极流动到所述出口，由此生成非平衡大气压等离子体，向所述非平衡大气压等离子体中引入雾化或气态的表面处理剂，并将所述基材邻近所述电介质外壳的所述出口定位，以使得所述基材的表面与所述等离子体接触并相对于所述电介质外壳的所述出口移动，其特征在于，流经所述电极的所述工艺气体的速度低于100m/s，并还以高于100m/s的速度向所述电介质外壳中注入工艺气体，以高于100m/s的速度注入的工艺气体相对以低于100m/s流经所述电极的工艺气体的体积比率为1:20至5:1。
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