[发明专利]开关电路、选择电路、以及电压测定装置

摘要

提供有助于电压测定装置中的电压测定精度提高和电池的消耗电流均匀化的技术。开关电路（SWP、SWN）具有：设置在输入端子与输出端子之间的开关元件（MP1及MP2、MN1及MN2）；和在中间夹着输入电压而彼此不同的第1电源电压（VCC或GND）与第2电源电压（GND或VCC）之间被驱动的开关驱动部（401～409）。开关驱动部具有：源极跟随器电路（401、404），其漏极侧连接于供给第1电源电压的第1电源端子侧，输入与输入电压相应的电压，并将在输出侧生成的电压作为用于驱动开关元件的驱动电压而供给到开关元件；和电流控制部（402、405），其根据控制信号（ENABLE）对源极跟随器电路的输出侧与供给第2电源电压的第2电源端子之间的电流路径进行开闭。

主权项

一种开关电路，其特征在于，具有：设置在输入端子与输出端子之间的开关元件；和根据指示所述开关元件的接通断开的控制信号而驱动所述开关元件的开关驱动部，所述开关驱动部在彼此不同的第1电源电压与第2电源电压之间被驱动，向所述输入端子供给的输入电压位于所述第1电源电压与第2电源电压之间，所述开关驱动部具有：源极跟随器电路，其漏极侧连接于供给所述第1电源电压的第1电源端子侧，输入与所述输入电压相应的电压，并将在输出侧生成的电压作为用于驱动所述开关元件的驱动电压而供给到所述开关元件；和电流控制部，其根据所述控制信号对所述源极跟随器电路的输出侧与供给所述第2电源电压的第2电源端子之间的电流路径进行开闭，所述开关元件具有：第1导电型的第1MOS晶体管，其漏极端子连接于所述输入端子侧，在栅极端子被供给所述驱动电压；和第1导电型的第2MOS晶体管，其漏极端子连接于所述输出端子侧，栅极端子连接于所述第1MOS晶体管的栅极端子侧，源极端子与所述第1MOS晶体管的源极端子共用地连接，所述源极跟随器电路具有：第2导电型的第3MOS晶体管，其漏极端子连接于所述第1电源端子侧，栅极端子连接于所述第1MOS晶体管及所述第2MOS晶体管的源极端子侧；和电压生成部，其一端连接于所述第3MOS晶体管的源极端子侧，另一端连接于所述第1MOS晶体管及所述第2MOS晶体管的栅极端子侧，并根据被供给的电流而在两端生成电压，所述电流控制部在所述控制信号指示所述开关元件接通的情况下开通所述电压生成部的另一端与所述第2电源端子之间的电流路径，在所述控制信号指示所述开关元件断开的情况下关断该电流路径。