[发明专利]用于溅射碳靶的溅射工艺无效
申请号: | 201280016885.3 | 申请日: | 2012-03-26 |
公开(公告)号: | CN103534380A | 公开(公告)日: | 2014-01-22 |
发明(设计)人: | 乌尔夫·赫尔默松;尼尔斯·布伦宁;阿西姆·艾亚兹 | 申请(专利权)人: | 艾诺提克斯AB |
主分类号: | C23C14/06 | 分类号: | C23C14/06;C23C14/32;C23C14/35 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 顾晋伟;吴鹏章 |
地址: | 瑞典林*** | 国省代码: | 瑞典;SE |
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摘要: | 根据本公开内容的溅射工艺包括:在溅射装置中设置由碳组成的靶;将基本上由氖组成或由包含至少60%氖的气体混合物组成的工艺气体引入所述装置;向所述靶施加脉冲功率放电以产生所述工艺气体的等离子体;借助所述等离子体来溅射所述靶。该工艺能够使大量的被溅射碳原子电离。 | ||
搜索关键词: | 用于 溅射 工艺 | ||
【主权项】:
一种用于溅射由碳组成的靶的溅射方法,所述方法包括:‑在磁控管溅射装置中或在空心阴极溅射装置中提供基本上由碳组成的靶,‑将工艺气体引入所述装置中,所述工艺气体基本上由氖组成或由包含至少60%的氖的气体混合物组成,‑向所述靶施加脉冲电功率放电以产生等离子体,其中,每个脉冲的峰值功率为每平方厘米有效靶表面积至少0.1kW,‑利用所述等离子体来溅射所述靶,并且电离由所述等离子体溅射的碳原子。
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