[发明专利]用于测试半导体器件的接触件的制造方法

摘要

本发明涉及一种用于测试座的接触件，在接触件中形成有以确定的间隔排列在介电板上的导体部，用于通过与半导体器件的引线端子接触来测试半导体器件是否正常，更具体地，涉及一种用于测试半导体器件的接触件的制造方法，其中连续交替地粘结并重复堆叠介电板和导体部，切割堆叠体的一个侧面，然后再次将堆叠体与介电层重复交替地粘结并堆叠，之后切割堆叠体的前表面从而生产出新型接触件的制成品。因而，能够根据层所形成的厚度以及在制造工艺中的切割宽度来确定相邻的导体部之间的间距，所以能够获得所需的导体部间距。

主权项

一种用于测试半导体器件的接触件的制造方法，所述方法包括：第一堆叠阶段（S1），在所述第一堆叠阶段中，连续交替地将介电层（2）和导体层（1）粘结并堆叠在彼此之上至确定的高度，从而形成第一堆叠体；第一切割阶段（S2），在所述第一切割阶段中，以固定的厚度垂直切割所述第一堆叠体的侧面至贯穿所述第一堆叠体的整个高度，从而形成包含分别沿纵向方向延伸的多组介电层（21）和导体层（11）的第一切割体（M1），其中所述多组介电层（21）和导体层（11）连续地排列在彼此上方；第二堆叠阶段（S3），在所述第二堆叠阶段中，连续交替地将平放的所述第一切割体（M1）与另一介电层（2）平行地粘结并堆叠在彼此之上至确定的高度，从而形成第二堆叠体；以及第二切割阶段（S4），在所述第二切割阶段中，以固定的厚度垂直切割所述第二堆叠体的侧面至贯穿所述第二堆叠体的整个高度，从而形成包含多组介电层（21）和设置在所述介电层（21）的一侧上的第二层的第二切割体（M2），其中所述介电层（21）沿其纵向方向延伸，并且所述第二层包含多对介电部（20）和导体部（10），所述多对介电部（20）和导体部（10）沿所述第二层的纵向方向连续设置，其中所述多组介电层（21）和第二层重复地堆叠在彼此之上。