[发明专利]用于提高频率稳定性的半导体激光器安装座在审
申请号: | 201280013579.4 | 申请日: | 2012-03-14 |
公开(公告)号: | CN103518296A | 公开(公告)日: | 2014-01-15 |
发明(设计)人: | 加比·纽鲍尔;阿尔弗雷德·菲提施;马蒂亚斯·施里姆佩尔 | 申请(专利权)人: | 光谱传感器公司 |
主分类号: | H01S5/042 | 分类号: | H01S5/042;H01S5/022 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 邹璐;安翔 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 半导体激光器芯片(302)的第一接触表面(310)可形成为具有目标表面粗糙度,该目标表面粗糙度选择为具有基本上小于要施加至第一接触表面(310)的金属阻挡层的阻挡层厚度的最大峰谷高度。具有该阻挡层厚度的金属阻挡层可施加至第一接触表面;以及利用焊料组成物(306),通过将焊接组成物加热至小于发生金属阻挡层溶解进入焊接组成物的阈值温度,可以将半导体激光器芯片(302)沿第一接触表面(310)焊接至载体安装座。还公开了有关的系统、方法、制造的制品等等。 | ||
搜索关键词: | 用于 提高 频率 稳定性 半导体激光器 安装 | ||
【主权项】:
一种方法,包括:将半导体激光器芯片的第一接触表面形成为具有目标表面粗糙度,该目标表面粗糙度被选择为所具有的最大峰谷高度基本上小于要施加至所述第一接触表面的金属阻挡层的阻挡层厚度;将具有所述阻挡层厚度的所述金属阻挡层施加至所述第一接触表面;以及利用焊料组成物将所述半导体激光器芯片沿所述第一接触表面焊接至载体安装座,焊接包括通过将所述焊接组成物加热至小于发生所述金属阻挡层溶解进入所述焊接组成物的阈值温度而熔化所述焊接组成物。
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