[发明专利]光刻术中辐射束斑的位置测量有效

专利信息
申请号: 201280013046.6 申请日: 2012-02-22
公开(公告)号: CN103430101A 公开(公告)日: 2013-12-04
发明(设计)人: F·皮特斯;J·本斯乔普;M·瑞肯斯;G·范巴斯;J·德克尔斯 申请(专利权)人: ASML荷兰有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 张启程
地址: 荷兰维*** 国省代码: 荷兰;NL
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种用于光刻设备的辐射斑测量系统,所述系统具有目标(40),光刻设备的辐射系统可以将辐射斑投影在目标上用于测量过程,所述目标具有测量目标(42)。所述系统还包括用以检测来自多个斑之一的辐射的辐射检测器(41)和用以接收来自辐射检测器的信号并确定辐射斑相对于辐射斑期望位置的位置的控制器(46)。
搜索关键词: 光刻 辐射 位置 测量
【主权项】:
一种光刻设备,包括:可编程图案形成装置,配置成提供多个辐射束;投影系统,配置成将多个辐射束投影到衬底上以形成各自的辐射斑;和辐射斑测量系统,包括:目标,辐射斑能够被投影到目标上用于斑测量过程,所述目标包括测量目标;辐射检测器,配置成检测来自已经被投影到测量目标上的辐射斑中的一个的辐射;和控制器,配置成接收来自辐射检测器的信息,并且基于所述信息至少确定辐射斑在目标上在基本上平行于目标的上表面的平面内相对于辐射斑的期望位置的位置。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于ASML荷兰有限公司,未经ASML荷兰有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201280013046.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top