[发明专利]复合喷嘴及具备该复合喷嘴的基板处理装置无效
申请号: | 201280008138.5 | 申请日: | 2012-02-17 |
公开(公告)号: | CN103370771A | 公开(公告)日: | 2013-10-23 |
发明(设计)人: | 松下亮;广川昌利;林田充司;瓦力·盖尓塔 | 申请(专利权)人: | 水科学股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;H01L21/027 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 雒运朴 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供利用扫描能够高效率地对较宽面积的基板进行处理的喷嘴及基板处理装置。复合喷嘴(1)具备复合加速喷嘴部(10),该复合加速喷嘴部(10)具备多个加速喷嘴(100),该加速喷嘴并列地配置,加速喷嘴(100)具有第一气体导入孔(101)、设于比所述第一气体导入孔(101)靠下游的位置的第一液体导入孔(103)、对从该第一气体导入孔(103)供给的气体及从该第一液体导入孔(103)供给的液体进行加速的加速流路(105)以及喷射加速后的混相流体的喷出口(107)。 | ||
搜索关键词: | 复合 喷嘴 具备 处理 装置 | ||
【主权项】:
一种复合喷嘴,该复合喷嘴具备复合加速喷嘴部,该复合加速喷嘴部具备多个加速喷嘴,该加速喷嘴并列地配置,该加速喷嘴具有:第一气体导入孔、设于比所述第一气体导入孔靠下游的位置的第一液体导入孔、对从该第一气体导入孔供给的气体及从该第一液体导入孔供给的液体进行加速的加速流路以及喷射加速后的混相流体的喷出口。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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