[发明专利]形成金红石二氧化钛的方法以及形成半导体结构的相关方法无效
| 申请号： | 201280007981.1 | 申请日： | 2012-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN103348455A | 公开（公告）日： | 2013-10-09 |
| 发明（设计）人： | 黄才育;维什瓦纳特·巴特;瓦西尔·安东诺夫;克里斯·卡尔森 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 沈锦华 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭示形成金红石二氧化钛的方法。所述方法包含将过渡金属(例如V、Cr、W、Mn、Ru、Os、Rh、Ir、Pt、Ge、Sn或Pb)暴露于氧气(O2)以氧化所述过渡金属。在所述氧化的过渡金属上形成金红石二氧化钛。通过原子层沉积将气态卤化钛前体和水引入所述氧化的过渡金属而形成所述金红石二氧化钛。还揭示形成具有金红石二氧化钛的半导体结构的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 金红石 氧化 方法 以及 半导体 结构 相关 | ||
【主权项】：
一种形成金红石二氧化钛的方法，所述方法包含：将过渡金属暴露于氧气(O2)、一氧化氮(NO)和一氧化二氮(N2O)中的至少一者，以形成氧化的过渡金属；和在所述氧化的过渡金属上形成金红石二氧化钛。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
