[发明专利]电阻变化型非易失性存储装置

摘要

本发明的电阻变化型非易失性存储装置（100）具备配置在多个第一信号线与多个第二信号线之间的交叉点上的多个存储单元（10），多个存储单元（10）分别包括电阻变化元件（1）以及与电阻变化元件（1）串联连接的电流控制元件（2），电阻变化型非易失性存储装置（100）具备写入电路（105）、行选择电路（103）及列选择电路（104），写入电路（105）按以下顺序依次选择块（120），并对所选择的块（120）中包含的多个存储单元（10）进行初始击穿，该顺序为：从配置在与行选择电路（103）及列选择电路（104）中的一方电路远的位置上的块（120）向配置在与上述一方电路近的位置上的块（120）的顺序。

主权项

一种电阻变化型非易失性存储装置，具备多个第一信号线、与上述多个第一信号线交叉的多个第二信号线、以及存储单元阵列，该存储单元阵列具有配置在上述多个第一信号线与上述多个第二信号线的交叉点上的多个存储单元；上述多个存储单元分别包括：电阻变化元件，在被施加预定的第一极性的第一电压时，变化为属于第一范围的电阻值的低电阻状态，并且，在被施加第二极性的第二电压时，变化为属于比上述第一范围高的第二范围的电阻值的高电阻状态，上述第二极性是与上述第一极性相反的极性；以及双端子的电流控制元件，与上述电阻变化元件串联连接；上述电阻变化型非易失性存储装置具备：写入电路，进行低电阻化写入和高电阻化写入，上述低电阻化写入是指，对上述存储单元，经由对应的上述第一信号线及上述第二信号线施加绝对值为上述第一电压以上的上述第一极性的低电阻化电压，由此使上述电阻变化元件变化为上述低电阻状态，上述高电阻化写入是指，对上述存储单元，经由对应的上述第一信号线及上述第二信号线施加绝对值为上述第二电压以上的上述第二极性的高电阻化电压，由此使上述电阻变化元件变化为上述高电阻状态；第一选择电路，选择上述多个第一信号线中的某一个；以及第二选择电路，选择上述多个第二信号线中的某一个；上述多个存储单元分割为多个块；上述多个块分别包含多个存储单元；上述写入电路还进行如下处理：对上述电阻变化型非易失性存储装置被制造后的初始状态的上述电阻变化元件，经由对应的上述第一信号线及上述第二信号线施加绝对值比上述低电阻化电压及上述高电阻化电压的绝对值大的初始击穿电压，由此进行使上述电阻变化元件转移到电阻能够通过上述低电阻化写入及上述高电阻化写入而变化的状态的初始击穿；在上述初始击穿中，经由上述第一选择电路及上述第二选择电路，对由上述第一选择电路选择的第一信号线及由上述第二选择电路选择的第二信号线施加上述初始击穿电压；在上述多个块之中，按以下顺序依次选择块，并对所选择的块中包含的多个存储单元进行上述初始击穿，该顺序为：从配置在与上述第一选择电路及上述第二选择电路中的至少一方电路最远的位置上的块向配置在与上述某一方电路最近的位置上的块的顺序。