[实用新型]用于室温检测超低浓度氮氧化物气体的气敏元件有效
| 申请号： | 201220729968.4 | 申请日： | 2012-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN203069539U | 公开（公告）日： | 2013-07-17 |
| 发明（设计）人： | 胡明;李明达;马双云;闫文君;曾鹏 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | G01N27/00 | 分类号： | G01N27/00 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 张宏祥 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种用于室温检测超低浓度氮氧化物气体的气敏元件，硅基片衬底为n型单晶硅基片，硅基片衬底的上面设置有多孔硅层，该多孔硅层的平均孔径为170.28nm，厚度为68.78μm，多孔硅层的上面设置有氧化钨薄膜，薄膜厚度为35nm，所述多孔硅层与氧化钨薄膜形成多孔硅基氧化钨纳米复合结构；氧化钨薄膜的上表面设置有铂电极正极和铂电极负极。本实用新型在室温下即可对超低浓度氮氧化物气体具有较高的响应值和很好的选择性，响应/恢复时间短，稳定性好，且体积小巧、结构简单、工艺成熟、价格低廉，有望在气敏传感器领域获得推广应用。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 室温 检测 浓度 氧化物 气体 元件 | ||
【主权项】：
一种用于室温检测超低浓度氮氧化物气体的气敏元件，包括硅基片衬底和铂电极，其特征在于，所述硅基片衬底（1）为n型单晶硅基片，尺寸为2.4cm×0.9cm；硅基片衬底（1）的上面设置有多孔硅层（2），该多孔硅层（2）的平均孔径为170.28nm，厚度为68.78μm，多孔硅层（2）的上面设置有氧化钨薄膜（3），薄膜厚度为35nm，所述多孔硅层（2）与氧化钨薄膜（3）形成多孔硅基氧化钨纳米复合结构；氧化钨薄膜（3）的上表面设置有铂电极正极（4）和铂电极负极（5）。
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