[实用新型]一种低杂感高压变频功率单元有效
| 申请号： | 201220726195.4 | 申请日： | 2012-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN203014656U | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 丁永建;姚娇;毛永红;徐益民 | 申请（专利权）人： | 扬州博尔特电气技术有限公司 |
| 主分类号： | H02M1/00 | 分类号： | H02M1/00 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 谢东 |
| 地址： | 225115 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种低杂感高压变频功率单元。该低杂感高压变频功率单元包括箱体（1），还包括设置在箱体内部的薄膜电容（2）和绝缘栅双极型晶体管（3），所述的薄膜电容与绝缘栅双极型晶体管之间通过一体式的母排（4）直接连接。采用该技术方案的杂感高压变频功率单元，一体式的母排增强了母排的一体性，提高了电解电容与双极型晶体管之间接触面积，有效降低了杂散电感，避免了母排在连接的时候接触面不够，通过的载流量小，产生的杂散电感大的问题，有效的保护了双极型晶体管；成一体式的母排以后也更加节省材料，外观上也更加的美观，节省了装配的时间，提高了生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 杂感 高压 变频 功率 单元 | ||
【主权项】：
一种低杂感高压变频功率单元，包括箱体（1），其特征在于：还包括设置在箱体内部的薄膜电容（2）和绝缘栅双极型晶体管（3），所述的薄膜电容与绝缘栅双极型晶体管之间通过一体式的母排（4）直接连接。
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路，例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备，例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
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H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路，例如闸流管、晶闸管的专用电路
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