[实用新型]一种低杂感高压变频功率单元有效
申请号: | 201220726195.4 | 申请日: | 2012-12-25 |
公开(公告)号: | CN203014656U | 公开(公告)日: | 2013-06-19 |
发明(设计)人: | 丁永建;姚娇;毛永红;徐益民 | 申请(专利权)人: | 扬州博尔特电气技术有限公司 |
主分类号: | H02M1/00 | 分类号: | H02M1/00 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 谢东 |
地址: | 225115 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 杂感 高压 变频 功率 单元 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种电力装置,尤其涉及一种高压变频功率单元。
背景技术
功率单元是各类高压变频产品中的核心部分,作为核心它既要满足各电器单元的组合功能条件,满足柜体的固有要求,还要便于工人在装配的时候方便安装。
现有技术中的高压变频功率单元的母排由连接薄膜电容正负主母排与绝缘栅双极型晶体管的小母排相互连接构成,为分体式,由于薄膜电容与绝缘栅双极型晶体管之间通过正负主母排和小母排连接,导致接触面小,电感量大,易产生很大的杂散电感,绝缘栅双极型晶体管也会由于大电流的尖峰冲击而被击穿。
发明内容
发明目的:本实用新型的目的在于针对现有技术的不足,提供一种提高了薄膜电容与绝缘栅双极型晶体管之间接触面积,有效减少杂散电感,保护绝缘栅双极型晶体管的高压变频功率单元。
技术方案:为了实现上述发明目的,本实用新型所采用的技术方案为:
一种低杂感高压变频功率单元,包括箱体,还包括设置在箱体内部的薄膜电容和绝缘栅双极型晶体管,所述的薄膜电容与绝缘栅双极型晶体管之间通过一体式的母排直接连接。
所述的母排包括与薄膜电容器连接的大背板和与绝缘栅双极型晶体管连接的插板,大背板与插板相互垂直,为“L”形。
所述的箱体的侧面设置有用于与熔断器连接的安装柱。
有益效果:本实用新型的低杂感高压变频功率单元与现有技术相比,其有益效果是:一体式的母排增强了母排的一体性,提高了薄膜电容与绝缘栅双极型晶体管之间接触面积,有效降低了杂散电感,避免了母排在连接的时候接触面不够,通过的载流量小,产生的杂散电感大的问题,有效的保护了绝缘栅双极型晶体管;成一体式的母排以后也更加节省材料,外观上也更加的美观,节省了装配的时间,提高了生产效率;“L”形的母排,与薄膜电容器连接的大背板和与绝缘栅双极型晶体管连接的插板相互垂直,进一步杂散电感;设置在箱体的侧面的安装柱,便于本实用新型的高压变频功率单元与其他设备之间的安装连接。
附图说明
图1为本实用新型结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图,通过一个最佳实施例,对本实用新型技术方案进行详细说明,但是本实用新型的保护范围不局限于所述实施例。
如图1所示,一种低杂感高压变频功率单元,包括箱体1,还包括安装在箱体内部的薄膜电容2和绝缘栅双极型晶体管3,所述的薄膜电容与绝缘栅双极型晶体管之间通过一体式的母排4直接连接,一体式的母排增强了母排的一体性,提高了薄膜电容与绝缘栅双极型晶体管之间接触面积,有效降低了杂散电感,避免了母排在连接的时候接触面不够,通过的载流量小,产生的杂散电感大的问题,有效的保护了绝缘栅双极型晶体管;一体式的母排更加节省材料,外观上也更加的美观,节省了装配的时间,提高了生产效率;所述的母排4包括与薄膜电容器连接的大背板41和与绝缘栅双极型晶体管连接的插板42,大背板与插板相互垂直,为“L”形,进一步减少杂散电感,母排4采用铜材制作便于折弯成型,所述的箱体的侧面设置有用于与熔断器连接的安装柱11。
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