[实用新型]基于异型沟槽的晶体热缓释结构有效

专利信息
申请号: 201220615174.5 申请日: 2012-11-20
公开(公告)号: CN202916010U 公开(公告)日: 2013-05-01
发明(设计)人: 赵相国;江波;周泗忠;郭治理;靳虎敏 申请(专利权)人: 中国科学院西安光学精密机械研究所
主分类号: G01J3/18 分类号: G01J3/18
代理公司: 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 代理人: 姚敏杰
地址: 710119 陕西省西*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 实用新型涉及一种基于异型沟槽的晶体热缓释结构,该结构包括衍射晶体以及基座晶体;衍射晶体开设有异型热缓释沟槽,衍射晶体的背面为具有精密面形的衍射面;基座晶体上开设有卸荷槽、进水口、出水口以及集水箱;进水口通过集水箱、衍射晶体的异型热缓释沟槽与出水口相贯通;衍射晶体与基座晶体通过高温扩散焊接成组合晶体。本实用新型提供了一种具有冷却效率高、密封性能好、装夹应力变形小、冷却腔内外压力差引起的面形误差小以及加工工艺性好的基于异型沟槽的晶体热缓释结构。
搜索关键词: 基于 异型 沟槽 晶体 热缓释 结构
【主权项】:
一种基于异型沟槽的晶体热缓释结构,其特征在于:所述基于异型沟槽的晶体热缓释结构包括衍射晶体以及基座晶体;所述衍射晶体开设有异型热缓释沟槽,所述衍射晶体的背面为具有精密面形的衍射面;所述基座晶体上开设有卸荷槽、进水口、出水口以及集水箱;所述进水口通过集水箱、衍射晶体的异型热缓释沟槽与出水口相贯通;所述衍射晶体与基座晶体通过高温扩散焊接成组合晶体。
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