[实用新型]调压电路有效

专利信息
申请号: 201220508503.6 申请日: 2012-10-03
公开(公告)号: CN202795117U 公开(公告)日: 2013-03-13
发明(设计)人: 吴勇;王纪云;王晓娟 申请(专利权)人: 郑州单点科技软件有限公司
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 450016 河南省郑州市经*** 国省代码: 河南;41
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型公开了一种调压电路。该电路的第一PMOS晶体管的源极接电压源,栅极接第二NMOS晶体管的漏极、第二PMOS晶体管的栅极和漏极,漏极接第一NMOS晶体管的漏极和第三PMOS晶体管的栅极;第二PMOS晶体管的源极接电压源;第三PMOS晶体管的源极接电压源,漏极接第三NMOS晶体管的漏极、电压输出端;第一NMOS晶体管的栅极接参考电压输入端,源极接第四NMOS晶体管的漏极和第二NMOS晶体管的源极;第二NMOS晶体管的栅极分别通过第一电阻和第二电阻接电压输出端和地;第三NMOS晶体管和第四NMOS晶体管的栅极均接电压输入端,源极均接地。体积较小、功耗小、速度高、适用于集成,电路结构简单。
搜索关键词: 调压 电路
【主权项】:
一种调压电路,其特征在于,包括第一PMOS晶体管(P1)、第二PMOS晶体管(P2)、第三PMOS晶体管(P3)、第一NMOS晶体管(N1)、第二NMOS晶体管(N2)、第三NMOS晶体管(N3)、第一电阻(R1)和第二电阻(R2);所述第一PMOS晶体管(P1)的源极连接至电压源(VDD),栅极连接至第二NMOS晶体管(N2)的漏极、第二PMOS晶体管(P2)的栅极和漏极,漏极连接至第一NMOS晶体管的漏极和第三PMOS晶体管(P3)的栅极;所述第二PMOS晶体管(P2)的源极连接至电压源(VDD);所述第三PMOS晶体管(P3)的源极连接至电压源(VDD),漏极连接至第三NMOS晶体管(N3)的漏极、电压输出端(Vout);所述第一NMOS晶体管(N1)的栅极连接至参考电压输入端(Vref),源极连接至第四NMOS晶体管(N4)的漏极和第二NMOS晶体管(N2)的源极;所述第二NMOS晶体管(N2)的栅极分别通过第一电阻(R1)和第二电阻(R2)连接至电压输出端(Vout)和地;所述第三NMOS晶体管(N3)的栅极和第四NMOS晶体管(N4)的栅极均连接至电压输入端(Vin),第三NMOS晶体管(N3)的源极和第四NMOS晶体管(N4)的源极均接地。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于郑州单点科技软件有限公司,未经郑州单点科技软件有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201220508503.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top