[实用新型]调压电路有效
申请号: | 201220508503.6 | 申请日: | 2012-10-03 |
公开(公告)号: | CN202795117U | 公开(公告)日: | 2013-03-13 |
发明(设计)人: | 吴勇;王纪云;王晓娟 | 申请(专利权)人: | 郑州单点科技软件有限公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 450016 河南省郑州市经*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种调压电路。该电路的第一PMOS晶体管的源极接电压源,栅极接第二NMOS晶体管的漏极、第二PMOS晶体管的栅极和漏极,漏极接第一NMOS晶体管的漏极和第三PMOS晶体管的栅极;第二PMOS晶体管的源极接电压源;第三PMOS晶体管的源极接电压源,漏极接第三NMOS晶体管的漏极、电压输出端;第一NMOS晶体管的栅极接参考电压输入端,源极接第四NMOS晶体管的漏极和第二NMOS晶体管的源极;第二NMOS晶体管的栅极分别通过第一电阻和第二电阻接电压输出端和地;第三NMOS晶体管和第四NMOS晶体管的栅极均接电压输入端,源极均接地。体积较小、功耗小、速度高、适用于集成,电路结构简单。 | ||
搜索关键词: | 调压 电路 | ||
【主权项】:
一种调压电路,其特征在于,包括第一PMOS晶体管(P1)、第二PMOS晶体管(P2)、第三PMOS晶体管(P3)、第一NMOS晶体管(N1)、第二NMOS晶体管(N2)、第三NMOS晶体管(N3)、第一电阻(R1)和第二电阻(R2);所述第一PMOS晶体管(P1)的源极连接至电压源(VDD),栅极连接至第二NMOS晶体管(N2)的漏极、第二PMOS晶体管(P2)的栅极和漏极,漏极连接至第一NMOS晶体管的漏极和第三PMOS晶体管(P3)的栅极;所述第二PMOS晶体管(P2)的源极连接至电压源(VDD);所述第三PMOS晶体管(P3)的源极连接至电压源(VDD),漏极连接至第三NMOS晶体管(N3)的漏极、电压输出端(Vout);所述第一NMOS晶体管(N1)的栅极连接至参考电压输入端(Vref),源极连接至第四NMOS晶体管(N4)的漏极和第二NMOS晶体管(N2)的源极;所述第二NMOS晶体管(N2)的栅极分别通过第一电阻(R1)和第二电阻(R2)连接至电压输出端(Vout)和地;所述第三NMOS晶体管(N3)的栅极和第四NMOS晶体管(N4)的栅极均连接至电压输入端(Vin),第三NMOS晶体管(N3)的源极和第四NMOS晶体管(N4)的源极均接地。
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