[实用新型]调压电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种调压电路。

背景技术

调压是电路中经常用到的电路模块，用于调整电路功能电压。现有电路中一般采用晶闸管作为调压的件，但是晶闸管的面积较大，发热较大，消耗的功率也较大，根本不适用于集成电路，一般是在芯片外接调压电路。

实用新型内容

本实用新型的发明目的在于：针对上述存在的问题，提供一种MOS结构的调压电路。

本实用新型采用的技术方案是这样的：一种调压电路，该电路包括第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第三PMOS晶体管、第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第三NMOS晶体管、第一电阻和第二电阻。

所述第一PMOS晶体管的源极连接至电压源，栅极连接至第二NMOS晶体管的漏极、第二PMOS晶体管的栅极和漏极，漏极连接至第一NMOS晶体管的漏极和第三PMOS晶体管的栅极；所述第二PMOS晶体管的源极连接至电压源；所述第三PMOS晶体管的源极连接至电压源，漏极连接至第三NMOS晶体管的漏极、电压输出端；所述第一NMOS晶体管的栅极连接至参考电压输入端，源极连接至第四NMOS晶体管的漏极和第二NMOS晶体管的源极；所述第二NMOS晶体管的栅极分别通过第一电阻和第二电阻连接至电压输出端和地；所述第三NMOS晶体管的栅极和第四NMOS晶体管的栅极均连接至电压输入端，第三NMOS晶体管的源极和第四NMOS晶体管的源极均接地。

在上述的电路中，所述第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管和第三PMOS晶体管为参数相同的PMOS晶体管。

在上述的电路中，所述第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管和第三NMOS晶体管为参数相同的NMOS晶体管。

在上述的电路中，所述第一电阻和第二电阻为参数相同的电阻。

综上所述，由于采用了上述技术方案，本实用新型的有益效果是：采用MOS结构，由于MOS管体较小、功耗小、速度高、适用于集成，切电路结构简单。

附图说明

图1是本实用新型调压电路的电路原理图。

具体实施方式

下面结合附图，对本实用新型作详细的说明。

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

如图1所示，是本实用新型调压电路的电路原理图。

一种调压电路，包括第一PMOS晶体管P1、第二PMOS晶体管P2、第三PMOS晶体管P3、第一NMOS晶体管N1、第二NMOS晶体管N2、第三NMOS晶体管N3、第一电阻R1和第二电阻R2。

下面结合图1对本实用新型上述各电子元器件间的连接关系做详细说明：所述第一PMOS晶体管P1的源极连接至电压源VDD，栅极连接至第二NMOS晶体管N2的漏极、第二PMOS晶体管P2的栅极和漏极，漏极连接至第一NMOS晶体管的漏极和第三PMOS晶体管P3的栅极；所述第二PMOS晶体管P2的源极连接至电压源VDD；所述第三PMOS晶体管P3的源极连接至电压源VDD，漏极连接至第三NMOS晶体管N3的漏极、电压输出端Vout；所述第一NMOS晶体管N1的栅极连接至参考电压输入端Vref，源极连接至第四NMOS晶体管N4的漏极和第二NMOS晶体管N2的源极；所述第二NMOS晶体管N2的栅极分别通过第一电阻R1和第二电阻R2连接至电压输出端Vout和地；所述第三NMOS晶体管N3的栅极和第四NMOS晶体管N4的栅极均连接至电压输入端Vin，第三NMOS晶体管N3的源极和第四NMOS晶体管N4的源极均接地。

在本实用新型上述的电路中，所述第一PMOS晶体管P1、第二PMOS晶体管P2和第三PMOS晶体管P3为参数相同的PMOS晶体管。

在本实用新型上述的电路中，所述第一NMOS晶体管N1、第二NMOS晶体管N2和第三NMOS晶体管N3为参数相同的NMOS晶体管。

在本实用新型上述的电路中，所述第一电阻R1和第二电阻R2为参数相同的电阻。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。