[实用新型]一种掩膜板有效
申请号: | 201220457411.X | 申请日: | 2012-09-07 |
公开(公告)号: | CN202735675U | 公开(公告)日: | 2013-02-13 |
发明(设计)人: | 彭川;隆清德 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G03F7/20 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型实施例提供一种掩膜板,涉及显示装置制造领域,可以改善光线的准直角度,抑制或消除光线通过掩膜板图形开口后的衍射曝光范围。包括:光栅层,所述光栅层具有至少一个图形开口区域,还包括:覆盖所述图形开口区域的柱状透镜;所述柱状透镜的一侧为圆拱,另一侧面向所述光栅层,所述圆拱的圆心指向所述光栅层,且其跨度大于等于所述图形开口区域的宽度。本实用新型实施例用于制造掩膜板。 | ||
搜索关键词: | 一种 掩膜板 | ||
【主权项】:
一种掩膜板,包括:光栅层,所述光栅层具有至少一个图形开口区域,其特征在于,还包括:覆盖所述图形开口区域的柱状透镜;所述柱状透镜的一侧为圆拱,另一侧面向所述光栅层,所述圆拱的圆心指向所述光栅层,且其跨度大于等于所述图形开口区域的宽度。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
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