[实用新型]一种稳压电路有效
| 申请号： | 201220432884.4 | 申请日： | 2012-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN202759379U | 公开（公告）日： | 2013-02-27 |
| 发明（设计）人： | 刘志成 | 申请（专利权）人： | TCL通力电子（惠州）有限公司 |
| 主分类号： | H02M3/10 | 分类号： | H02M3/10 |
| 代理公司： | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人： | 胡海国 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种稳压电路，包括输入端，输出端，待机端，第一电阻，第二电阻，第一NPN三极管，P沟道MOS管，稳压管，第二NPN三极管，PNP三极管，P沟道MOS管的源极连接至输入端，漏极连接至输出端，该漏极还连接至稳压管，依次通过串联的第二电阻，第一电阻接地，P沟道MOS管栅极连接至第一NPN三极管集电极，第一NPN三极管基极连接至待机端，发射极接地；第二NPN三极管基极连接至第二电阻和第一电阻的节点，集电极连接至输入端，发射极接地；PNP三极管的基极外接电压，集电极连接至P沟道MOS管的栅极，发射极连接至输入端。该电路采用P沟道MOSFET做调整管，相较于稳压IC，电源效率高，待机功耗低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 稳压 电路 | ||
【主权项】：
一种稳压电路，其包括输入端，输出端，待机端，第一电阻，第二电阻，第一NPN三极管，P沟道MOS管，稳压管，第二NPN三极管，PNP三极管，P沟道MOS管的源极连接至输入端，漏极连接至输出端，该漏极还连接至稳压管，依次通过串联的第二电阻，第一电阻接地，P沟道MOS管栅极连接至第一NPN三极管集电极，第一NPN三极管基极连接至待机端，发射极接地；第二NPN三极管基极连接至第二电阻和第一电阻的节点，集电极连接至输入端，发射极接地；PNP三极管的基极外接电压，集电极连接至P沟道MOS管的栅极，发射极连接至输入端。
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