[实用新型]一种稳压电路有效

专利信息
申请号: 201220432884.4 申请日: 2012-08-28
公开(公告)号: CN202759379U 公开(公告)日: 2013-02-27
发明(设计)人: 刘志成 申请(专利权)人: TCL通力电子(惠州)有限公司
主分类号: H02M3/10 分类号: H02M3/10
代理公司: 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 代理人: 胡海国
地址: 516006 广东省*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 稳压 电路
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及一种稳压电路,特别是一种低压差线性稳压电路。

背景技术

低压差线性稳压电路广泛应用在待机电路中,通常低压差线性稳压电路都需要稳压IC。然而,现有的低压差线性稳压IC有如下缺点:1、电压差在0.2V-0.3V左右,重载时要满足稳定电压要求,稳压IC上还是要损耗一定的能量,大电流输出时热量难以处理;2、低压差线性稳压IC在不工作时需要一定的静态电流(通常为5mA左右),应用于0.2W功率待机的产品,满足不了其低功率待机的要求,因为它在静态也需要消耗一定的能量。

发明内容

本实用新型的目的在于提供一种稳压电路,旨在解决目前线性稳压电路热量大,功耗高的问题。

本实用新型是这样实现的,一种稳压电路,其包括输入端,输出端,待机端,第一电阻,第二电阻,第一NPN三极管,P沟道MOS管,稳压管,第二NPN三极管,PNP三极管,P沟道MOS管的源极连接至输入端,漏极连接至输出端,该漏极还连接至稳压管,依次通过串联的第二电阻,第一电阻接地,P沟道MOS管栅极连接至第一NPN三极管集电极,第一NPN三极管基极连接至待机端,发射极接地;第二NPN三极管基极连接至第二电阻和第一电阻的节点,集电极连接至输入端,发射极接地;PNP三极管的基极外接电压,集电极连接至P沟道MOS管的栅极,发射极连接至输入端。

另外,该稳压电路还包括串联的第三电阻,第四电阻,该第四电阻连接至输入端,该P沟道MOS管栅极通过该第三电阻与该第一NPN三极管的集电极相连;该稳压电路还包括串联的第五电阻,第六电阻,第二NPN三极管集电极依次通过该串联的第五电阻和第六电阻连接至输入端;PNP三极管基极连接至该第五电阻与该第六电阻的节点;该稳压电路还包括电容,该电容一端连接至PNP三极管的基极,一端连接至PNP三极管的集电极。

在上述的稳压电路中,第一NPN三极管的发射极,第二NPN三极管的发射极与第一电阻共地。

本实用新型的稳压电路采用P沟道MOSFET做调整管,在输入与输出电压差只有几十毫伏时还能稳定输出电压,有效的提高了电源的效率,并实现零功耗待机,与有带待机功能的低压差线性稳压IC相比,产生的热量也很低。

附图说明

图1是本实用新型稳压电路的电路图。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。

请参阅图1,是本实用新型稳压电路的电路图。该稳压电路包括输入端Input,输出端Output,输出控制电路10和环路控制与补偿电路20。输出控制电路10接收输入端Input的输入电压,并由输出端Output输出电压;环路控制与补偿电路20与输出控制电路10形成闭合环,对输出控制电路10的输出进行控制与补偿,以保证输出电压的稳定。

输出控制电路10包括第一电阻R539,第二电阻R540,第三电阻R542,第四电阻R545,第一NPN三极管Q508,P沟道MOS管Q511,稳压管ZD504以及待机端Standby。P沟道MOS管Q511的源极连接至输入端Input,漏极连接至输出端Output,该漏极还连接至该稳压管ZD504,依次通过串联的第二电阻R540,第一电阻R539接地,P沟道MOS管Q511栅极连接至第四电阻R545与第三电阻R542连接的节点,第三电阻R542另一端连接至第一NPN三极管Q508集电极,第一NPN三极管Q508基极接待机端Standby,发射极接地。

环路控制与补偿电路20包括第五电阻R543,第六电阻R544,第二NPN三极管Q509,PNP三极管Q510,电容C510。第二NPN三极管Q509基极连接至输出控制电路10中第二电阻R540和第一电阻R539的节点,集电极通过依次串联的第五电阻R543,第六电阻R544连接至输入端Input,发射极接地;PNP三极管Q510的基极连接至第六电阻R544与第五电阻R543的节点,集电极连接至输出控制电路10中第三电阻R542与第四电阻R545的节点,发射极连接至输入端Input;电容C510一端连接至PNP三极管Q510基极,一端连接至PNP三极管Q510集电极。该实施例中,第一NPN三极管Q508的发射极,第二NPN三极管Q509的发射极与第一电阻R539共地。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TCL通力电子(惠州)有限公司,未经TCL通力电子(惠州)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201220432884.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top