[实用新型]一种正面副栅线电极结构有效
| 申请号： | 201220375753.7 | 申请日： | 2012-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN202712202U | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 刘伟;陈筑;詹国平;刘晓巍;蔡二辉;徐晓群 | 申请（专利权）人： | 宁波尤利卡太阳能科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224 |
| 代理公司： | 宁波市鄞州甬致专利代理事务所(普通合伙) 33228 | 代理人： | 代忠炯 |
| 地址： | 315177 浙江省宁*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种正面副栅线电极结构，它包括若干条第一副栅线（11），它还包括设有内嵌段（13b）和外露段(13a)的第三副栅线(13)，所述的内嵌段（13b）与第二次套印的正面主栅线电极结构的主栅线（20）上相应的首段（21）或末段（22）叠交，所述的外露段(13a)与第一副栅线（11）相交。该正面副栅线电极结构在二次套印过程中能够快速准确的对位印刷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 正面 副栅线 电极 结构 | ||
【主权项】：
一种正面副栅线电极结构，它包括若干条第一副栅线（11），其特征在于：它还包括设有内嵌段（13b）和外露段(13a)的第三副栅线(13)，所述的内嵌段（13b）与第二次套印的正面主栅线电极结构的主栅线（20）上相应的首段（21）或末段（22）叠交，所述的外露段(13a)与第一副栅线（11）相交。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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