[实用新型]带有绝缘槽通过结构层的导通结构有效

专利信息
申请号: 201220351125.5 申请日: 2012-07-19
公开(公告)号: CN202808341U 公开(公告)日: 2013-03-20
发明(设计)人: 孙博华;田晓丹;孙明;王琳;覃昭君;周源;邵长治;郭伟恒 申请(专利权)人: 水木智芯科技(北京)有限公司
主分类号: B81B7/00 分类号: B81B7/00
代理公司: 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 代理人: 汤东凤
地址: 100084 北京市海*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 实用新型公开了一种带有绝缘槽通过结构层的导通结构,包括衬底基板和金属导线,所述衬底基板和金属导线之间设有一层电性隔离层,所述电性隔离层上有规则图形的突起,所述突起与掺杂多晶硅或是单晶硅的结构层固定连接,所述结构层表面蚀刻有导电通孔,所述导电通孔内含空腔状的二氧化硅绝缘层,所述空腔内填充有导电介质,所述导电介质上端与金属盖子相连接、下端与金属导线相连接,所述金属导线通过所述导电介质、金属盖子、结构层相连通。本实用新型通过结构层的跨越式导电,良好的金半接触,减少一层金属导线层,减少需要的掩膜和相应工艺步骤,并解决了金属交叉走线时引起的寄生电容现象。
搜索关键词: 带有 绝缘 通过 结构
【主权项】:
一种带有绝缘槽通过结构层的导通结构,包括衬底基板和金属导线,其特征在于,所述衬底基板和金属导线之间设有一层电性隔离层,所述电性隔离层上有规则图形的突起,所述突起与掺杂多晶硅或是单晶硅的结构层固定连接,所述结构层表面蚀刻有导电通孔,所述导电通孔内含空腔状的二氧化硅绝缘层,所述空腔内填充有导电介质,所述导电介质上端与金属盖子相连接、下端与金属导线相连接,所述金属导线通过所述导电介质、金属盖子、结构层相连通。
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