[实用新型]压控振荡器的偏置电路有效

专利信息
申请号: 201220325352.0 申请日: 2012-07-06
公开(公告)号: CN202663357U 公开(公告)日: 2013-01-09
发明(设计)人: 盛怀茂;陈敏强 申请(专利权)人: 汉凌微电子(上海)有限公司
主分类号: H03B5/32 分类号: H03B5/32;G05F3/26
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 王江富
地址: 201203 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 实用新型公开了一种压控振荡器的偏置电路,包括第一组电流镜、第二组电流镜;第一组电流镜包括第一MOS管、第二MOS管,第一MOS管、第二MOS管为类型相同;第二组电流镜包括第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管和第七MOS管,第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管与第一MOS管、第二MOS管类型相反;第五MOS管的栅极、漏极与第六MOS管的栅极及第二MOS管的漏极相连;第五MOS管的源极与第三MOS管的漏极、栅极以及第六MOS管的源极相连;第六MOS管的漏极与第四MOS管的栅极及第七MOS管的栅极相连;第七MOS管的源极、漏极与第三MOS管的源极及第四MOS管的源极接电源电压;第四MOS管的漏极接压控振荡器。本实用新型的压控振荡器的偏置电路,能减小器件的尺寸。
搜索关键词: 压控振荡器 偏置 电路
【主权项】:
一种压控振荡器的偏置电路,偏置电路包括第一组电流镜、第二组电流镜;所述第一组电流镜包括第一MOS管、第二MOS管,第一MOS管、第二MOS管为类型相同的晶体管;所述第二组电流镜包括第三MOS管、第四MOS管,第三MOS管、第四MOS管为与第一MOS管、第二MOS管类型相反的晶体管;所述第一MOS管的栅极、漏极及所述第二MOS管的栅极接基准电流源,所述第一MOS管的源极和所述第二MOS管的源极接地;其特征在于:所述第二组电流镜还包括第五MOS管、第六MOS管和第七MOS管,所述第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管为与第一MOS管、第二MOS管类型相反的晶体管;所述第五MOS管的栅极、漏极与所述第六MOS管的栅极及所述第二MOS管的漏极相连;所述第五MOS管的源极与所述第三MOS管的漏极、栅极以及所述第六MOS管的源极相连;所述第六MOS管的漏极与所述第四MOS管的栅极以及所述第七MOS管的栅极相连;所述第七MOS管的源极、漏极与所述第三MOS管的源极以及所述第四MOS管的源极接电源电压;所述第四MOS管的漏极用于和压控振荡器相连。
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