[实用新型]一种同时吸取双片的真空吸笔有效
申请号: | 201220314652.9 | 申请日: | 2012-06-28 |
公开(公告)号: | CN202662584U | 公开(公告)日: | 2013-01-09 |
发明(设计)人: | 金重玄;戴明;吴洪联;夏高生 | 申请(专利权)人: | 杭州大和热磁电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人: | 尉伟敏 |
地址: | 310053 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种同时吸取双片的真空吸笔,包括吸笔头、吸管和手柄,吸管与手柄一体结构,吸笔头呈块状结构,吸笔头的中心设有与吸管相吻合的吸管孔,吸笔头的厚度与存放硅片的石英舟内部间隙相同,在吸笔头的两侧面上分别对称设有结构相同的左吸盘腔和右吸盘腔,吸管孔的底部设有与吸管孔相互连通的左气道和右气道,左气道与左吸盘腔连通,右气道与右吸盘腔连通,本实用新型在不改变原真空吸笔的本体结构,只需更换吸笔头就可以实现双片取片,改装费用较低,取片效率提升一倍,而且吸笔头的端部增加了较长的楔形导向部,在快速作业时可以防止因真空吸笔插偏导致碰碎硅片的情况发生,安全系数较高。 | ||
搜索关键词: | 一种 同时 吸取 真空 | ||
【主权项】:
一种同时吸取双片的真空吸笔,包括吸笔头(1)、吸管(2)和手柄(3),所述吸管与手柄一体结构,所述吸笔头呈块状结构,在吸笔头的一侧面上设有内陷的吸盘腔,吸笔头的中心设有与吸管相吻合的吸管孔(4),吸管孔的底部设有与吸管孔连通的气孔,所述气孔与所述吸盘腔连通,其特征在于:所述吸笔头的厚度与存放硅片(5)的石英舟内部间隙相同,在吸笔头的两侧面上分别对称设有结构相同的左吸盘腔(6)和右吸盘腔(7),所述吸管孔的底部设有与吸管孔相互连通的左气道(8)和右气道(9),所述左气道与所述左吸盘腔连通,所述右气道与所述的右吸盘腔连通。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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