[实用新型]背面对准光刻误差的校验装置有效
| 申请号： | 201220310636.2 | 申请日： | 2012-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN202705027U | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 张鹏;熊建功;李小刚;赵健 | 申请（专利权）人： | 慧石（上海）测控科技有限公司 |
| 主分类号： | B81C99/00 | 分类号： | B81C99/00;G01B11/00;G03F9/00 |
| 代理公司： | 上海精晟知识产权代理有限公司 31253 | 代理人： | 何新平 |
| 地址： | 201700 上海市青浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型的目的在于公开一种背面对准光刻误差的校验装置，它包括硅基板，硅基板的表面刻制有一校准图形区域，在所述校准图形区域的表面沉积一钝化层，所述硅基板的背面刻蚀有一深槽图形区域，所述深槽图形区域的底部与所述钝化层的底部相平齐；与现有技术相比，通过在显微镜下测量硅基板正面的图形与背面深槽的位置差异从而检测光刻工艺背面对准的误差，不仅能用于检测背面对准光刻工艺，也可用于校验背面对准检验设备的精度，并且用于控制硅材料背面深槽结构深度，即只有当深槽的刻蚀深度到达钝化层时，才能在显微镜下同时观测到正面和背面结构；可广泛适用于硅微电子器件，包括压力传感器，加速度计等微电子机械系统，实现本实用新型的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 背面 对准 光刻 误差 校验 装置 | ||
【主权项】：
一种背面对准光刻误差的校验装置，其特征在于，它包括硅基板，所述硅基板的表面刻制有一校准图形区域，在所述校准图形区域的表面沉积一钝化层，所述硅基板的背面刻蚀有一深槽图形区域，所述深槽图形区域的底部与所述钝化层的底部相平齐。
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