[实用新型]一种用于宽范围电源输入的内部供电电路有效

专利信息
申请号: 201220248728.2 申请日: 2012-05-30
公开(公告)号: CN202586753U 公开(公告)日: 2012-12-05
发明(设计)人: 王晓飞;夏雪;袁小云 申请(专利权)人: 西安航天民芯科技有限公司
主分类号: H02M3/158 分类号: H02M3/158;G01R19/165
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 710075 陕西省西安市*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 实用新型涉及一种用于宽范围电源输入的内部供电电路,它包括一个电源电压判断单元和一个产生内部供电的调整电路单元,一共包含一个电流源,十三个P型MOS管、九个N型MOS管、两个电容、八个电阻和两个齐纳二极管;电路采用一种开关算法,保证了电路在较宽输入电源范围内,给内部电路提供稳定的电压进行供电,通过在电源电压较低时,给内部电路提供的供电电压与电源电压相同,在电源电压较高时,给内部电路提供的供电电压稳定在一个合理的电压值,即保证了电源电压较低时芯片的效率,也保证了电源电压较高时芯片的正常工作,提高了电源电压的输入范围。
搜索关键词: 一种 用于 范围 电源 输入 内部 供电 电路
【主权项】:
1.一种用于宽范围电源输入的内部供电电路,其特征在于,包括电源电压判断单元和产生内部供电的Regulator电路,具体为一个电流源,十三个P型MOS管、九个N型MOS管、两个电容、八个电阻和两个齐纳二极管,其中:所述电源电压判断单元包括六个电阻、四个NMOS管和五个PMOS管,电阻R1、电阻R2与电阻R3是电源VIN的分压电阻,第一N型MOS管MN1是使能开关管,第一N型双极型晶体管N1、第二N型双极型晶体管N2、第一P型MOS管MP1、第二P型MOS管MP2、电阻R4和电阻R5是电源电压判断单元的主体结构,第一N型双极型晶体管N1与第二N型双极型晶体管N2为匹配关系,比例为N∶1,当电源VIN的分压高于时,即电源VIN的电压高于时,电源电压判断单元输出为高电平,当电源VIN的电压低于时,电源电压判断单元输出为低电平;所述产生内部供电的Regulator电路,包括两个电阻、五个NMOS管、八个PMOS管、两个齐纳二极管和两个电容,第六P型MOS管MP6、第七P型MOS管MP7与第八P型MOS管MP8是电路中的 电流偏置管,为Regulator电路提供偏置电流,第一齐纳二极管D1为第十二P型MOS管MP12、第十三P型MOS管MP13提供偏置电压,当电路使能关断时通过电阻R7对第八N型MOS管MN8的栅极进行放电,第十P型MOS管MP10、第十一P型MOS管MP11、第十二P型MOS管MP12、第十三P型MOS管MP13、第九N型MOS管MN9与第十N型MOS管MN10为选择电路,当电源电压较低时,第九P型MOS管MP9的栅极拉低,第九P型MOS管MP9导通,VDD的输出等于VIN,当源电压较高时,第九P型MOS管MP9的栅极拉高,第九P型MOS管MP9关断,VDD的输出等于第二齐纳二极管D2的稳压值减去第八N型MOS管MN8的VGS8值。
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